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您所在的位置: 需求库 技术需求 宽禁带半导体硅基氮化镓HEMT研制

宽禁带半导体硅基氮化镓HEMT研制

发布时间: 2021-11-16
来源: 科技服务团
截止日期:2021-11-18

价格 双方协商

地区： 江苏省 无锡市 新吴区

需求方： 无锡***公司

行业领域

新兴行业

需求背景

工作基础：

公司是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。公司开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HVVDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力\电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。

需解决的主要技术难题

1.滑移线问题

同时采用国产片和进口片在同一炉内生长,国产片表面出现密集的滑移线,且长度超过5mm,而进口片边缘滑移线相对较少,且长度低于3mm。

2.裂片问题

同时采用3片国产片和3片进口片在同一炉内进行外延生长,在降温过程中,3片国产片全部裂为两半,3片进口片全部完好.

需要氮化镓专家团队做技术分析与指导

期望实现的主要技术目标

预期成果:

将传统产业中硅外延用***硅抛光片的表面控制技术、MEMS用硅片的几何参数控制技术以及***~*** IC用硅片的边缘控制技术有机结合,形成氮化镓用硅衬底的专用技术标准,从而满足后续产业化的发展要求。开发出硅基氮化镓650V HEMT系列化产品，实现氮化镓HEMT国产化。

处理进度

  1. 提交需求
    2021-11-16 11:55:54
  2. 确认需求
    2021-11-19 10:06:51
  3. 需求服务
  4. 需求签约
  5. 需求完成