高导热氮化硅陶瓷基片

上海硅酸盐研究所经过长期的研究积累，提出了具有完全自主知识产权的高导热氮化硅陶瓷 基板制备方案和技术集成。独立开发了高导热氮化硅陶瓷的配方体系 3 个，突破了高导热氮化硅 陶瓷基片的流延成型、气压烧结和变形控制核心技术，建立了高强、高韧、高热导氮化硅基片制 备方案，解决了高导热氮化硅陶瓷的热导率和力学性能同步调控瓶颈问题，形成了面向产业化的 稳定、可靠的批量化制备方案。申请发明专利 6 项，形成技术秘密 14 项。项目立足于国内原料， 通过关键技术突破，形成了完全自主可控、性能对标日本公司的产品研制和开发能力，具有完全 自主知识产权，且成本低于日本公司，后续成长空间大，还可开拓国际市场，在市场竞争中具有 较强的生存能力和自我发展潜力。 高导热氮化硅陶瓷基片是大功率电力电子器件的关键支撑材料，在电动汽车、轨道交通、智 能电网、风力发电、航空航天、工业机器人、数控机床、新能源装备、集成电路、不间断电源 （UPS）等国计民生领域得到广泛应用。