碳化硅单晶衬底材料技术

烁科晶体通过自主研发，先后攻克了碳化硅单晶生长设备研制、高纯碳化硅粉料合成、碳化 硅晶型控制、微管缺陷控制、深能级点缺陷控制等核心关键技术，深入研究了合成碳化硅粉料的 物理化学机理、纯度、合成温度等参数对碳化硅粉料合成粒度、纯度及晶型结构的影响，掌握了 合成粉料工艺，合成的碳化硅粉料粒度可控，纯度大于 99.999%，技术水平达到国际先进水平。采 用自主研制的碳化硅单晶生长炉和自主合成的高纯碳化硅粉研制的 4-6 英寸高纯半绝缘碳化硅单 晶材料达到国际先进水平。 4 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底实现了产业化，主要技术指标微管密度小于 0.5cm-2，电阻 率大于 1E10Ω·㎝，完全替代了进口产品；6 英寸碳化硅单晶衬底关键技术已突破，是国内有报 道的首家成功生长出 6 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶的单位，实现了批量供货。