科创中国

博士，研究员，博士生导师。主要从事新型半导体材料与器件的研究工作，主持并完成了国家"九五"重大科技攻关项目"北方微电子基地"的"国家新型半导体材料研究基地建设"以及"新型半导体材料"项目，包括：亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延Si材料项目；双异质SOI材料项目；高温MESFET用GaN外延材料；高温功率器件用MBE SiC材料。2002年至2005年，主持并完成了国防技改项目“496工程砷化镓单晶材料建设项目”，以及国家863计划重大专项“直径6英寸半绝缘GaAs单晶生长技术”。2006年起主持“十一五”863计划重点项目“5KW全固态激光器及其应用”的研究工作；2007年起主持科技部国际合作重点项目“半导体照明重大科学前沿研究”。在国内外学术刊物和会议上发表有关论文90余篇并由科学出版社出版了一本专著，已授权国际发明专利2项、国内发明专利14项

研究员，博士生导师，中科院特聘研究员，国家杰出青年基金获得者，享受国务院政府特殊津贴，政协长春市第十三届委员会委员。主要研究领域为GaN半导体材料与器件。作为项目负责人承担国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、中国科学院科研项目10余项。曾获中国科学院优秀导师、吉林省青年领军人才、吉林省第5批拔尖创新人才、中国科学院青年创新促进会优秀会员、中国科学院卢嘉锡青年人才奖、吉林省自然科学学术成果奖一等奖（排名第一）、吉林省优秀海外归国人才优秀奖等奖项和荣誉。担任《Scientific Reports》、《半导体学报》、《发光学报》编委，中国金属学会宽禁带委员会委员，OSA高级会员。在2006年3月召开的第15届三元和多元材料国际会议上获得“青年研究者奖”。

教授（博士生指导教师），长期从事化合物半导体材料制备及其特性表征的教学和科研工作。熟练掌握晶体薄膜外延和体单晶生长，晶体结构、光学和电学表征等技术。培养研究生三十多名，其中第一位博士生蔡端俊的论文获2008年度全国优秀博士论文提名，2004年获得厦门市优秀教师称号。2000年兼任日本东北大学学际科学国际高等研究中心（Institute for Interdisciplinary Advanced Research）客座教授、2004年兼任日本东北大学材料科学国际前沿中心（International Frontier Center for Advanced Materials）客座教授。现为厦门大学“物理学”一级学科博士点、“微电子学与固体电子学”二级学科工科博士点学术带头人、“凝聚态物理”国家重点学科主要学术带头人。现兼任国家自然科学基金委员会专家评审组专家、中国物理学会半导体专业委员会委员、表面与界面物理专业委员会委员、发光分会委员、中国真空学会理事、表面与纳米专业委员会委员、中国电子显微镜学会扫描探针与微束分析专业委员会委员、中国光学光电子行业协会光电器件分会专家委员会成员、福建省光电行业协会第1届副理事长、厦门市物理学会副理事长。先后担任亚太宽带隙半导体国际研讨会(APWS2009)程序委员会委员、第18届国际真空大会应用表面科学分会程序委员会委员、第6届ZnO及其相关材料国际研讨会组织委员会委员。

黄火林， 现任大连理工大学光电工程与仪器科学学院教授、博导。2006年7月和2011年7月于厦门大学物理系分别获得学士和博士学位，2011年8月至2014年10月在新加坡国立大学（NUS）电机工程系（ECE）从事新一代GaN材料功率电子器件研制工作，负责攻关《高压高功率氮化镓材料功率电子器件技术研发》重大项目。该项目典型成果是获得大于3V阈值电压和超过1000V击穿电压性能的常关型（增强型）功率器件，以及基于无金（Au-free）工艺技术的+2V阈值电压和600V击穿电压的常关型功率器件，项目器件指标达到同期国际先进水平。2014年12月被引进大连理工大学，主要继续从事GaN功率电子器件制造和新型GaN基光电磁传感器集成技术研究方向，目前建立并领导大连理工大学GaN功率器件团队（包括3位高级职称和2位中级职称专职教师）。在GaN电子器件技术方向，已在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文超过五十篇，已经申请或授权国际、国内发明专利近三十项（第一发明人、近五年）；担任国家基金委项目、教育部博士后基金、博士学位中心以及省级人才项目（会评）评审专家。

2014年:郭伟玲(1966-),女,教授,博士,主要研究方向为半导体光电子器件.Email:guoweiling@bjut.edu.cn
2013年:郭伟玲(1966-),女,山西垣曲县人,主要从事半导体光电子器件方面的研究.E-mail:guoweiling@bjut.edu.cn
2012年:郭伟玲(1966-),女,副教授,主要从事半导体光电子器件方面的研究.E-mail:guoweiling@ bjut.edu.cn
2011年:郭伟玲(1966-),女,博士,副教授,主要从事半导体光电子器件方面的研究.E-mail: guoweiling@bjut. edu. cn
2010年:郭伟玲(1966-),女,博士,副教授,主要从事半导体光电子器件方面的研究.E-mail:guoweiling@bjut.edu.cn
2009年:郭伟玲(1966-),女,副教授,从事半导体光电子器件方面的研究.E-mail:guoweiling@bjut.edu.cn
2006年:郭伟玲(GUO Weiling)1966年生,博士,副教授,主要从事微电子和光电子器件的研究,发表论文40余篇.

中国科学技术大学近代物理系核电子学专业，学士/硕士 香港中文大学物理系表面物理专业，博士 美国休斯顿大学访问，德国柏林洪堡大学博士后 厦门大学物理系教授/博导 现任复旦大学光源与照明工程系教授/博导 曾主持或参与国家自然科学基金项目，"863计划"，国防基础研究计划，省市重点科技计划等项目，包括已主持完成国家自然科学基金项目3项。

理学博士。2000-2002年，北京大学物理学院博士后，2002年留校至今，从事III族氮化物器件及其物理研究。主要研究方向包括大功率LED外延结构设计与生长，激光剥离、垂直结构LED芯片的制备，功率型LED的封装，LED老化和可靠性分析等。作为负责人，承担并完成2项863课题，完成1项国家自然科学基金课题，在研973课题和国家自然科学基金各1项。近年来共发表SCI论文70余篇，申请专利20余项。同时积极进行863成果产业化项目，2001-2002年参与了上海蓝光科技有限公司的建设，建成蓝绿光LED芯片生产线。

博士，德国海德堡大学和巴洛意特大学洪堡学者。现任中科院物理研究所研究员，博士生导师，1999年获国家杰出青年科学基金，2004年至今兼任中国晶体学会副理事长和国际衍射数据中心（ICDD）中国区主席，2007年获ICDD Fellow称号，2009年成为“新世纪百千万人才工程”国家级人选，2009年获第五届“发明创业奖”特等奖，作为负责人带领宽禁带半导体材料研究与应用团队获2010年度“中国科学院先进集体”荣誉称号。长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作，先后主持国家863、973和国家科技支撑计划等23个科研项目，取得了多项研究成果。系统开展了碳化硅晶体生长的基础和应用开发研究工作，解决了多项关键科学问题和系列关键技术，生长出2-4英寸高质量晶体；攻克了晶体制备重复性和稳定性等关键工程化问题，在国内率先实现了碳化硅晶体的产业化，碳化硅系列晶片批量供应国内用户，并出口至欧美和日本等发达国家，打破了国外的长期垄断，为发展我国宽禁带半导体产业奠定了基础。发现了一系列新的功能晶体材料，包括新超导体K0.8Fe2Se2和具有潜在应用价值的闪烁晶体YBa3B9O18等，精确测定了新化合物的晶体结构，其中120个化合物的衍射数据被ICDD收录为标准衍射数据。申请发明专利45项，其中已授权16项。在国际学术期刊上发表论文301篇，共被引用2549次（h因子23）。

2000年12月获南京大学物理系理学博士学位，2002年至2007年任新加坡国立大学电机工程系博士生导师、新加坡科研局材料研究院研究员、首席科学家。2008年进入江苏省“333高层次人才培养工程”中第二层次，并于2011年获表彰，获2008年度“江苏省高层次创新创业人才引进计划”创新人才资助，2010年获“江苏省有突出贡献的中青年专家”称号，2011获得中国产学研创新奖个人奖。长期专业从事半导体光电材料与器件的前沿创新性研究，尤其对氮化物材料和光电子器件进行了系统且深入的研究，内容涵盖材料外延生长、结构表征、器件设计、芯片制备、器件应用和半导体照明工程等，取得了一批世界首创、国内领先的研究成果。主持过3项、参加5项国际合作项目，主持和参加国家“973”、“863”、重点研发项目、自然基金等多项重大研究项目，担任国家“863”主题项目首席专家，申请国际发明专利7项，获授权国际发明专利6项，申请国家发明专利30余项。发表学术论文150余篇，被SCI收录104篇，参与编著专著三部。2008年3月起兼任南京大学扬州光电研究院院长。

1992年中国科学院物理研究所获得博士学位，1992年至今从事分子束外延和MOCVD半导体材料生长及结构与物性研究。1996年～1997年 香港科技大学访问工作，从事电镜研究。在国外主要刊物上发表论文70多篇，申请专利20多项。现为物理所新型化合物半导体材料和物性研究课题组长。