科创中国

本发明提供一种增强太赫兹波的ZnO 纳米阵列的制备方法，本发明方法工艺简单，制得的ZnO 纳米阵列具有阵列结构整齐，方向可控，结构尺寸可控，增强太赫兹波的特点。

本发明方法以单层PS小球为模板，采用直流磁控溅射的方式沉积Zn0而后通过水热方法生长得到阵列结构整齐的 Zn0 纳米阵列，制备方法对设备要求低，工艺简单。

本发明方法为制备纳米阵列结构提供了新的思路，本方法并不仅限于ZnO材料，同样适用于InAs、Si、GaAs、ZnTe等材料，不仅能够增强太赫兹波的激发，在薄膜太阳能电池、气体传感器、生物传感器等领域也具有广泛的应用前景。科研成果具体应用在纳米材料制备领域，薄膜太阳能电池，气体传感器，生物传感器领域。

半导体探测材料与器件工程技术研究中心包括光电子材料与器件重点实验 室，先进封装设计实验室和芯片设计与应用部。中心以产教融合、协同创新为基 本建设方针，围绕半导体材料与器件全产业链，从上游半导体材料开始，到设计、 制造、封装、测试，再到最后的下游应用环节，并以此实践应用贯穿半导体材料 与器件人才培养全过程。团队成员多学科交叉，其中高级职称10人，双师比82%。

①由实例制备的单层PS小球模板的AFM图可知，本实例获得了均匀度良好排列整齐的单层PS小球模板。 ②由实例制得的 ZnO 纳米阵列的 XRD 谱图可知，本实施例得到了取向为（200）的氧化锌，方向整齐均一。 ③由实例制得的ZnO纳米阵列与光滑ZnO薄膜的THz-TDS对比谱图可知，通过THz-TDS检测得到的整齐的ZnO纳米阵列在3THz、4THz、4.5THz的强度比ZnO光滑薄膜的强度高，说明整齐的Zn0纳米阵列的效果非常明显。 

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