一种二氧化硅纳米线的制备方法
成果类型:: 发明专利,实用新型专利,新技术
发布时间: 2024-11-05 09:57:55
本技术提供了一种SiO2纳米线的制备方法,具体包括以下步骤∶ ①前处理:去除硅酸盐玻璃原料表面的污渍。前处理过程为:依次使用丙酮和蒸馏水超声清洗玻璃,清除附着在玻璃表面的灰尘及油污。 ②将前处理后的硅酸盐玻璃在反应釜中与氨水进行水热反应,硅酸盐玻璃与氨水质量体积比为1~2(g):10(ml)。 ③反应完成后取出玻璃,将反应液中生成的沉淀物过滤、离心、洗涤、烘干后得到SiO2纳米线。
①本发明通过实验室和工业上常用的氨水水热法来制备SiO2纳米线,工艺简单,克服了以往制备SiO2纳米线的方法或复杂、繁琐或危险性高的缺点,有利于规模化生产。 ②本发明采用普通的硅酸盐玻璃作为原料,成本低廉,且可以多次反复使用,极大的降低了生产成本;以氨水为溶液,反应后产生的废液容易处理,不会对环境产生较大污染。 ③本发明制备的SiO2纳米线直径分布比较均匀,具有高的长径比,而且有良好的蓝光发射特性,可应用于光显示和光电子器件领域。
科研成果具体应用在荧光材料,近场扫描光学显微镜,纳米材料制备,光显示,光电子器件领域。
半导体探测材料与器件工程技术研究中心包括光电子材料与器件重点实验 室,先进封装设计实验室和芯片设计与应用部。中心以产教融合、协同创新为基 本建设方针,围绕半导体材料与器件全产业链,从上游半导体材料开始,到设计、 制造、封装、测试,再到最后的下游应用环节,并以此实践应用贯穿半导体材料 与器件人才培养全过程。团队成员多学科交叉,其中高级职称10人,双师比82%。
①由实例得到的SiO2 纳米线的扫描电镜图可知,制备的SiO2 纳米线的直径在10~50nm之间,具有较高的长径比。 ②由实例得到的SiO2纳米线的光致发光谱图可知,制备的纳米线在425nm附近有较强的蓝光发射,可应用于光显示和光电子器件领域。
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