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本实用新型公开了一种异质结硅磁敏三极管，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管。本实用新型所述异质结硅磁敏三极管结构简单，实现了芯片的小型化和集成化。

1.一种异质结硅磁敏三极管，其特征在于，所述异质结硅磁敏三极管包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在所述第一硅片(1)上设置有用于检测磁场的硅磁敏三极管；在所述第一硅片(1)的上表面制作有发射区(4)和基区(5)，在所述第一硅片(1)的下表面、第一硅片(1)与第二硅片(2)的交界面处设置有集电区(6)；在所述发射区(4)的表面沉积有原位掺杂nc-Si:H薄膜，形成nc-Si:H/c-Si的异质结作为发射结；所述nc-Si:H薄膜的厚度为30～150nm。

所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，可以广泛适用于异质结硅磁敏三极管等相关领域行业。

黑龙江大学有博士后科研流动站7个，博士后科研工作站3个。有博士学位授权一级学科10个，硕士学位授权一级学科35个，硕士专业学位类别18个。有国家重点学科1个，国家重点（培育）学科1个；有国家级一流本科专业建设点33个、国家级特色专业10个、国家级一流本科课程（含精品在线开放课程）15门、省级重点学科群1个、省级重点一级学科12个，省级“双一流”国际一流建设学科1个，省级“双一流”国内一流建设学科5个。

在所述发射区(4)的表面沉积有原位掺杂nc-Si:H薄膜，形成nc-Si:H/c-Si的异质结作为发射结；所述nc-Si:H薄膜的厚度为30～150nm。可以有效降低成本，提高效率，具有环保、安全等优势。

本项目可以采用技术转让、技术合作等多种形式进行对接，欢迎有需求的企业单位联系洽谈。