科创中国

本软件能针对输入的半导体晶体结构，基于材料基因组数据库和第一性原理软件包，自动计算并输出半导体的热力学稳定性，缺陷和杂质形成能及离化能级，半导体样品中缺陷、杂质和载流子浓度及费米能级，关键缺陷和杂质诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射俘获截面及少子寿命。

1、为半导体器件TCAD仿真提供各种缺陷和杂质的模型和基本参数； 2、将安装了DASP软件的计算服务器变为一台缺陷和杂质性质的表征设备； 3、是深能级瞬态谱、光致发光谱、正电子湮没谱等的“解谱”工具软件； 4、开展新型多元、低对称性半导体的稳定性、缺陷和杂质的高通量计算。

计算结果可以直接作为半导体器件TCAD仿真的输入参数，为器件优化提供定量依据。同时，它也可以直接与缺陷和杂质的各种电学和光学表征实验结果进行对比，作为“解谱”工具。

团队由数位来自Intel及多个MEM公司，深耕半导体行业的资深工程师组成，并获得斯坦佛和康奈尔大学的技术合作与支持。我们的核心技术成员都有美国名校的电子工程博士或计算机科学硕士学位和极其强烈的创业热情，而市场和运营的成员则具有丰富的相关经验和背景。

能洞察影响器件可靠性的微观机制,为集成电路产业发展提供原子级模拟仿真工具

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