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本发明公开了一种基于全MOS基准源的新型低压差线性稳压器，包括基准模块、放大模块、功率模块、保护模块、瞬态响应模块及反馈模块，其中，基准模块包括参考电压产生电路，参考电压产生电路包括N型耗尽管NDEP1、NDEP2，N型增强管N3，电阻R1、R2以及电容C1；NDEP1管的漏极接电源电压端VDD，其栅极与源极共同连接NDEP2管的漏极；NDEP2管的栅极与源极相连并共同连接N3管的栅极，且通过电阻R1连接N3管的漏极；N3管的源极与衬底均接地，N3管的漏极作为采样端VT连接保护模块；NDEP2管的栅极与源极的公共端还与电阻R2、电容C1串接，电容C1的另一端接地；电阻R2和电容C1的公共端作为参考电压端VREF连接放大模块。此外提供的稳压器减小了芯片面积，提升了电路性能。

发明通过将三管基准模块中N3管的漏端VT设计成过温检测点，同时结合四管迟滞结构简单实现过温保护模块，区别于传统的利用三极管过温检测模式，大大降低了功耗，简化了电路结构，同时节省了芯片面积。

现有的基准电路往往采用三极管带隙基准电路设计，这种电路结构较为复杂，使得电源抑制比受运放影响较大，且其需要运算放大器和启动电路，从而导致占用面积与功耗均较大。同时，现有的过温保护模块主要利用三极管的温度特性进行设计，结构复杂，功耗与面积较大不利于更小产品的设计。此外，现有的瞬态补偿电路通常采用动态偏置与比较器非线性调节等方式，且功耗大且非线性度高，不利于系统稳定。综上，现有的低压差线性稳压器芯片面积较大，功耗较高且性能不够稳定。因此，研发新型低压差线性稳压器，可以有效解决上述存在的问题。

“高新技术发展与战略管理”团队是以王宏起教授为带头人发展起来的黑龙江省高校哲学社会科学首批创新团队,现有教授5人、副教授5人、讲师3人。团队积极与黑龙江省科技厅等政府部门合作,为黑龙江省科技创新管理提供了一系列科技管理咨询服务,现已成为黑龙江省双一流学科、特色优势学科、黑龙江省“优秀”重点学科“管理科学与工程”学科及其博士点和博士后站的牵头方向。

现有的基准电路往往采用三极管带隙基准电路设计，这种电路结构较为复杂，使得电源抑制比受运放影响较大，且其需要运算放大器和启动电路，从而导致占用面积与功耗均较大。同时，现有的过温保护模块主要利用三极管的温度特性进行设计，结构复杂，功耗与面积较大不利于更小产品的设计。此外，现有的瞬态补偿电路通常采用动态偏置与比较器非线性调节等方式，且功耗大且非线性度高，不利于系统稳定。综上，现有的低压差线性稳压器芯片面积较大，功耗较高且性能不够稳定。因此，研发新型低压差线性稳压器，可以有效解决上述存在的问题。

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