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本发明公开了一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储器的制备方法：包括清洗、干燥衬底；将PCBM溶液旋涂于衬底上真空干燥后形成PCBM有机电极介质层；在PCBM有机电极介质层上通过磁控溅射法生长Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层；在Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层上生长Ag电极层。本发明提供的阻变存储器使用了PCBM薄膜作为阻变存储器的有机电极介质层，其有别于传统使用氧化物制备的存储器件，其结构独特，性能表现良好，是一种存储性能更为稳定、耐久性强、应用前景更为广阔的阻变存储器。

本发明的目的是提供一种有机电极阻变存储器及其制备方法，以解决现有有机阻变存储器件存在阻值变化不稳定、存储性能较差、耐久性和数据记忆特性不好的问题。 本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极、Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层和Ag电极层。

本实用新型有广泛的应用前景：可以应用于数字电路、数据存储、智能卡等领域。它可以实现快速、可逆的数据存储，同时由于其低成本、高密度等特点，在便携式电子设备和嵌入式系统中有很大的应用潜力。

闫小兵，男，河北大学教授，博导，先后获得国家高层次人才称号，霍英东青年教师奖等荣誉，博士毕业于南京大学，2014-2016于新加坡国立大学担任Research Fellow职位，现任河北大学电子信息工程学院副院长。研究方向：新型Flash存储器、阻变存储器、忆阻器等新型电子器件集成和用于集成的逻辑控制嵌入式电路设计研究，面向人工神经网络的忆阻器阵列研究。

与现有技术相比，此技术产生的效益如下：

技术转让，许可，合作所需资金需双方协商，此项技术想尽快落地保定，希望具备此项技术研发的技术方，能够尽快承接此项目。