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本发明属于紫外光电探测技术领域，具体涉及一种4H‑SiC窄带紫外光电探测器，包括自上而下依次设置的顶电极层、半导体层和底电极层，所述半导体层为4H‑SiC基底，顶电极层为TiN制成的半透明金属电极；底电极层为不透光金属电极。本发明利用器件在不同波长光照射下产生的光电导差，实现了15nm窄带紫外响应性能，而且，器件的亮暗电流比和响应度均优于现有技术中的探测器。

本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种具有高亮暗电流比的4H-SiC窄带紫外光电探测器，以获得具有高亮暗电流比的窄带响应紫外光电探测性能。

本发明直接在半绝缘型4H-SiC基底的正反两侧，分别制作半透明顶电极与不透光底电极，最终获得了一种具有高亮暗电流比的4H-SiC窄带紫外光电探测器。所实现的SiC紫外光电探测器在紫外光照下具有窄带响应特性，具有极低的暗电流密度以及高的亮暗电流比，在手机、智能家居、可穿戴电子产品等领域具有光明的应用前景。

为加快产学研一体化发展，2019年12月，兴县经济技术开发区与太原理工大学签署了全面合作协议，成立了兴县铝镁新材料研发有限公司，为开发区内企业提供项目论证、新技术研发、传统产业升级、科技成果转化、铝镁材料深加工技术攻关等全方位服务。 截至目前，铝镁新材料产业园区铝产业入驻企业7户，投产5户；签约引进5个铝镁新材料产业项目，总投资16.3亿元。其中，包头一禾稀土铝业10万吨铝合金杆延伸5万吨合金铝导线项目、上海正岸物资贸易有限公司5万吨铸造铝合金及配套铸件项目、河北亚泰电力金具有限公司8万吨铝电力金具项目等3个入驻标准化厂房的项目已投产；华兴铝业氧化铝产能2016年已达到200万吨。

目前已报道的4H-SiC紫外光电探测器的响应带宽较宽，不具有波长选择功能。垂直结构光电探测器的优势还在于：可分别对两端电极进行特殊设计，为器件性能提升提高了更高的灵活度；可通过简单的横纵电极交叉制得面阵器件。本发明探寻出一种低成本、高性能的垂直金属-半导体-金属型4H-SiC窄带紫外光电探测器。

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