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本发明涉及一种极化合成孔径雷达数据地物三维距离度量方法，包括如下步骤：多视处理，构造描述目标的极化相干矩阵；根据先验信息在全极化SAR图像极化相干矩阵中任意选择两类地物；将地物用三分量进行描述；对三分量分别计算距离，构造描述地物之间差别的三维距离；三维距离融合，作为地物分类的判别准则。本发明还涉及一种极化合成孔径雷达数据地物三维距离度量系统。本发明能够简便地应用于极化合成孔径雷达数据处理软件，并获得较高的分类精度。

一种极化合成孔径雷达数据地物三维距离度量方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：多视处理，构造描述目标的极化相干矩阵：所述的多视处理是对单视数据的n*m窗口平均，并将地物目标以极化相干矩阵形式表示：为目标单视散射矩阵，A0、B、B0…H为Huynen参数；根据先验信息在全极化SAR图像极化相干矩阵中任意选择两类地物；将地物用三分量进行描述，所述的三分量指：极化散射总功率Span、点目标散射分量T0、分布目标散射分量TN：按不同的散射机理对地物目标进行描述，两类不同地物都采用这种分解方法，公式如下：span＝2(A0+B0)，T0=12(B0-F)C-G+jH-jDB0+B-F+jEE+jB0-jB-jF×C-G+jH-jDB0+B-F+jEE+jB0-jB-jF*,]]>TN＝T-T0，两类地物的分解结果表示为{span1}、{T01}、{TN1}和{span2}、{T02}、{TN2}；对三分量分别计算距离，构造描述地物之间差别的三维距离：其中，d1()表示度量span的距离，mi、σi，i＝1,2分别为{span1}，{span2}的均值和方差

随着雷达技术的发展，极化合成孔径雷达(P0LSAR)已成为合成孔径雷达(SAR)的 发展趋势，P0LSAR能够得到更丰富的目标信息，在农业、林业、军事、地质学、水文学和海洋 等方面具有广泛的研究和应用价值。土地覆盖分类是P0LSAR的重要应用之一，相比于单极 化SAR，P0LSAR所提取的极化参数能有效地反应地物的生物、物理参数，能够提高地物分类 的精度。

团队背景：中科先进院成立于2017年，由中国科学技术协会主导，依托国内外顶级科研机构、高等院校和企业资源，汇聚了一批具有科研背景和丰富经验的专家学者和领域专家。

使命与愿景：中科先进院的使命是为国家和社会发展提供科技支持和决策咨询，致力于打造国内一流的科技智库机构。其愿景是通过推动前沿科技研究和创新驱动，推进中国的科技水平和国家竞争力。

研究领域：中科先进院的团队在广泛的研究领域开展工作，涵盖了人工智能、量子信息、材料科学、生物医药、能源环境、航空航天、信息通信等领域。团队成员在各自的专业领域具有深厚的研究背景和专业知识。

项目与成果：中科先进院的团队积极参与和推动国家重点科技项目和战略研究，开展创新研究和技术转化工作。他们在科研项目、科技创新和政策咨询方面取得了一系列重要成果，并为社会发展和决策提供了有价值的建议和支持。

国际交流与合作：中科先进院重视国际交流与合作，在与国际科技组织、高校和研究机构之间建立了广泛的合作关系。这有助于促进跨领域的知识交流和合作研究，推动科技创新和全球科技发展。

中科先进院的团队以其卓越的科研能力、广泛的专业背景和积极的工作态度在中国科技界具有重要地位。他们致力于推动科技进步和社会发展，为中国的科技创新和可持续发展作出了积极的贡献。

本发明提供一种极化合成孔径雷达数据地物三维距离度量系统，包括相互电性连 接的处理模块、选择模块、描述模块、构造模块及融合模块，其中：所述处理模块用于设多视 处理，构造描述目标的极化相干矩阵;所述选择模块用于根据先验信息在全极化SAR图像极 化相干矩阵中任意选择两类地物;所述描述模块用于将地物用三分量极进行描述;所述构 造模块用于对三分量分别计算距离，构造描述地物之间差别的三维距离;所述融合模块用 于三维距离融合，作为地物分类的判别准则。

[0012]其中，所述的多视处理是对单视数据的n*m窗口平均，并将地物目标以极化相干矩 阵形式表示。

[0013]所述的先验信息是预先知道的信息。

[0014]所述的三分量指:极化散射总功率Span、点目标散射分量Το、分布目标散射分量Tn。

[0015] 本发明所提供的极化合成孔径雷达数据地物三维距离度量方法及系统。更加突出 不同地物之间的差别，同时减少了同类地物之间的差别，原理简单、计算方便，能够有效提 高地物分类的精度。

技术合作

所述构造模块用于对三分量分别计算距离，构造描述地物之间差别的三维距离。 [0062]所述三分量分别计算距离是指对极化总功率span、分布目标散射分量Τν、点目标 散射分量Το分别进行距尚的度量，由于三分量的表现形式不同，其度量的方式也不同。虽然本发明参照当前的较佳实施方式进行了描述，但本领域的技术人员应能理 解，上述较佳实施方式仅用来说明本发明，并非用来限定本发明的保护范围，任何在本发明 的精神和原则范围之内，所做的任何修饰、等效替换、改进等，均应包含在本发明的权利保 护范围之内。