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六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法

成果类型:: 发明专利

发布时间: 2023-08-09 16:45:02

科技成果产业化落地方案
方案提交机构:天津市滨海新区| 宋学姮 | 2023-08-10 09:59:38
本发明公开了一种六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法包括如下步骤:将六方氮化硼粉末以N,N 二甲基甲酰胺为溶剂进行液相剥离后离心分离,保留上清液即为六方氮化硼纳米片溶液;向所述六方氮化硼纳米片溶液中加入分散剂,超声分散后得到六方氮化硼纳米片分散液;以及在超声加热的条件下,向所述六方氮化硼纳米片分散液中滴加硝酸银溶液,接着转入磁力搅拌加热,充分反应后离心烘干得到六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料。这种六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法先制备六方氮化硼纳米片,再以六方氮化硼的液相剥离溶剂为还原剂,还原硝酸银,使生成的纳米银颗粒沉积在六方氮化硼纳米片层上。
一种六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:称取2g粒径为2μm的六方氮化硼粉末于烧杯中,加入量取的200mL二甲基甲酰胺,超声48h,接着调节转速为1000rpm,对超声后的六方氮化硼的二甲基甲酰胺混合液离心分离,离心时间为20min,离心完成保留上清液,上清液即为六方氮化硼纳米片溶液;取六方氮化硼纳米片溶液,按照聚乙烯吡咯烷酮与六方氮化硼纳米片溶液的六方氮化硼的质量比为1:5,向六方氮化硼纳米片溶液中加入聚乙烯吡咯烷酮,超声30min后得到六方氮化硼纳米片分散液;取六方氮化硼纳米片分散液,按照六方氮化硼纳米片分散液中的聚乙烯吡咯烷酮与硝酸银的质量比为1:5,在50℃超声加热的条件下,滴加硝酸银溶液,完毕后,50℃磁力搅拌加热1h,停止加热并且持续搅拌6h;搅拌结束后,调节转速为10000rpm,离心30min后保留沉淀,并分别用乙醇、丙酮洗涤沉淀,接着烘干即可得到六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料。

 六方氮化硼与石墨具有相似的层状晶体结构,每一层都是由B原子和N原子以SP2杂化的形式排列而组成,因此又被称为“白石墨”。六方氮化硼具有很好的物理化学性能,比如高耐热性、高导热性、优异的介电性能、良好的化学稳定性,较低的热膨胀系数,良好的润滑性、化学性质稳定,具有良好的耐腐蚀性,和一般的无机酸、碱、或者氧化剂不发生反应,对几乎所有熔融金属都成化学惰性。基于尺寸效应,六方氮化硼的微纳米级材料具有更优异的性能。在导热、绝缘、润滑、抗氧化性等方面具有巨大的潜在应用。因而,六方氮化硼纳米片的制备及其应用引起了人们的广泛关注和逐步研究。

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—种六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法,包括如下步骤:

[0007] 将六方氮化硼粉末以N,N_ 二甲基甲酰胺为溶剂进行液相剥离后离心分离,保留上清液即为六方氮化硼纳米片溶液;

[0008]向所述六方氮化硼纳米片溶液中加入分散剂,超声分散后得到六方氮化硼纳米片分散液;以及

[0009] 在超声加热的条件下,向所述六方氮化硼纳米片分散液中滴加硝酸银溶液,接着转入磁力搅拌加热,充分反应后离心烘干得到六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料。

[0010] 在一个实施例中,所述将六方氮化硼粉末以N,N_二甲基甲酰胺为溶剂进行液相剥离并离心分离的操作中,所述六方氮化硼粉末与所述N,N-二甲基甲酰胺的比例为0.2g〜2g:10mL0

[0011] 在一个实施例中,所述将六方氮化硼粉末以N,N-二甲基甲酰胺为溶剂进行液相剥离并离心分离的操作中,所述六方氮化硼粉末的粒径为0.5μπι〜18μπι。

[0012] 在一个实施例中,所述将六方氮化硼粉末以Ν,Ν_二甲基甲酰胺为溶剂进行液相剥离并离心分离的操作中,所述液相剥离为超声4h〜60h。

[0013] 在一个实施例中,所述将六方氮化硼粉末以N,N_二甲基甲酰胺为溶剂进行液相剥离并离心的操作中,所述离心的时间为1miη〜60miη,所述离心的转速为100rpm〜6000rpmo


这种六方氮化硼纳米片沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法先制备六方氮化硼纳米片,再以六方氮化硼的液相剥离溶剂为还原剂,还原硝酸银,使生成的纳米银颗粒沉积在六方氮化硼纳米片层上,从而完成了直接采用不经改性的六方氮化硼纳米片而成功负载纳米银颗粒的过程。

技术合作

这种六方氮化硼纳米片层沉积纳米银颗粒复合材料的制备方法先制备六方氮化硼纳米片,再以六方氮化硼的液相剥离溶剂为还原剂,还原硝酸银,使生成的纳米银颗粒沉积在六方氮化硼纳米片层上。这种方法以聚乙烯吡咯烷酮为分散剂,在其作用下,沉积在六方氮化硼纳米片上银纳米颗粒分布均匀,粒径尺寸均一,工艺简单,容易操作,在电子封装导热填料方面具有很好的应用前景。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。