低介电常数、低介电损耗集成电路用聚酰亚胺纳米复合材料
成果类型:: 新技术
发布时间: 2023-08-04 15:46:21
基于密度泛函和分子动力学筛选,通过改变聚酰亚胺主链结构、含氟取代基位置和聚倍半硅氧烷官能团种类,从单体、小分子合成了理论性能优异的聚酰亚胺基体和纳米填料。通过原位聚合,成功制备了具有低介电常数、低介电损耗、高热稳定性、高击穿强度的聚酰亚胺纳米复合材料。在10-1~107 Hz频率内,介电常数低至2.35-2.45,介电损耗仅为0.0011-0.0046。目前此材料已作为NV色心量子微波传感器,展现出极低的信号损失(S21=-11.67 dB at 3.7 GHz) 和极大的磁场强度(2.00 G at 3.7 GHz)。
1、 与商业化聚酰亚胺KAPTON对比,在103 Hz下,介电常数降低了约30%,介电损耗降低了约32%,极低的信号损失提高了电子器件的工作稳定性。2、 良好的尺寸稳定性(46.19 ppm/°C)、高玻璃化转化温度(273.91°C)、极好的耐酸性和较高的击穿强度(249.5 kV/mm)满足集成电路加工过程涉及的高温、酸性和高压环境。
目前此材料已作为NV色心量子微波传感器,展现出极低的信号损失(S21=-11.67 dB at 3.7 GHz) 和极大的磁场强度(2.00 G at 3.7 GHz)。
在可见光波长内(390~780 nm),展现出良好的光透过率,拓展应用空间。
在 GB/T1034-2008吸水性测试种,展现了低至0.30%的吸湿性,可以满足潮湿环境或水下应用的性能稳定性。
通过原位聚合,成功制备了具有低介电常数、低介电损耗、高热稳定性、高击穿强度的聚酰亚胺纳米复合材料。在10-1~107 Hz频率内,介电常数低至2.35-2.45,介电损耗仅为0.0011-0.0046。目前此材料已作为NV色心量子微波传感器,展现出极低的信号损失(S21=-11.67 dB at 3.7 GHz) 和极大的磁场强度(2.00 G at 3.7 GHz)。
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