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本发明公开一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、氧化层(4)、第二导电类型阳极区域(5)、第二导电类型栅极体区域(6)、重掺杂第一导电类型栅极接触区域(7)、第一导电类型传导区域(8)、轻掺杂第一导电类型漂移区(9)、重掺杂第一导电类型衬底层(10)、漏极金属层(11)；

本发明改善了器件的反向恢复特性，相较于内置超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小。

本发明公开一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、

创始团队由一群具有创新意识、拥有着共同的目标、有着不同的专业背景的朝气蓬勃的在校大学生组成。不同兴趣、不同学识背景的几个年轻人为了同一个目标汇集在一起，不同人的特长通过合作集中在一起使得每一个人都可以发挥出每一个人的最大优势同时随着项目进度的推进我们也会引进新人促进项目的发展，为团队注入新鲜的血液，保证团体始终保有创新意识和活力。

改善了器件的反向恢复特性，相较于内置超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小。

通过自主研发，组建研发团队，对用户进行调研，查阅文献了解市场需要，解决项目中的技术问题，确定项目总体方案设计，配置相关仪器设备，确保项目按计划进度实施。同时定期进行各项试验，改进技术方案及技术指标，完善工艺，规模生产。投入市场建立和完善市场营销网络。