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一种跨导增强电路单元包括五个源极和衬底接地的NMOS管及源极和衬底接电源的PMOS管；第一NMOS管和第一PMOS管栅极相连构成输入端，漏极和第二NMOS管漏极相连；第二NMOS管栅极和漏极相连且接第三NMOS管栅极，并通过电阻连接第二PMOS管漏极；第三NMOS管漏极和第四PMOS管漏极相连；第四NMOS管栅极和漏极相连且接第五NMOS管栅极及第三PMOS管漏极；第五NMOS管漏极和第五PMOS管漏极相连构成输出端；第一PMOS管漏极接第二PMOS管漏极；第二PMOS管栅极和漏极相连且接第三PMOS管栅极；第四PMOS管栅极和漏极相连且接第五PMOS管栅极。另外提供晶体振荡器电路。

1.一种跨导增强电路单元，其特征在于，所述跨导增强电路单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管及电阻；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管及所述第五NMOS管的源极和衬底均接地；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管及所述第五PMOS管的源极和衬底均接电源；所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极相连构成所述跨导增强电路单元的输入端，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的栅极和漏极相连且连接于所述第三NMOS管的栅极，并通过所述电阻连接于所述第二PMOS管的漏极；所述第三NMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极相连；所述第四NMOS管的栅极和漏极相连且连接于所述第五NMOS管的栅极及所述第三PMOS管的漏极

由于电池电源供电的电子系统的应用越来越广泛，电池能否长时间有效供电成为 一个需求，为尽可能地延长电池的使用时间，需要设计出低功耗的电路。晶体振荡电路作为 一个时钟产生模块几乎存在于每一个系统及芯片(System on a Chip，SoC)，而晶体振荡器 的启动需要较长的时间，对于低频晶体振荡器通常需要几百毫秒甚至秒，因此低电压低功 耗快速启动时间成为一个设计趋势。

中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力，推动我国自主知识产权新工业的建立，成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生态系统，由九个研究平台，国科大深圳先进技术学院，多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究，促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。

相较于现有技术，本发明提供的具有所述跨导增强电路单元10的晶体振荡器电路 100能够在上电起始阶段，利用所述跨导增强电路单元1〇实现较大的跨导，达到较大的增 益，加速晶体的启动;而且上电以后可以通过关闭所述跨导增强电路单元10,来实现降低功 耗。此外，所述晶体振荡器电路100无采用大尺寸的M0S管设计，避免占用占用较大的版图面 积。

技术合作

以上所述，仅是本发明的实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本 发明已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱 离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化 的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。