优镓科技-新一代射频氮化镓功放芯片
成果类型:: 发明专利
发布时间: 2022-10-20 11:21:22
国内5G基站建设的步伐逐渐加快,但是高效线性基站功放芯片却比较缺乏。Qorvo、Sumitomo等国外厂商供货可以在一定程度上解决燃眉之急,但是一方面由于研发难度较高,国外产品的性能也比较一般,另一方面在中美贸易战背景下,使用国外芯片存在风险,国产替代化势在必行。考虑到上述背景,本项目实现的高效线性GaN Doherty功放芯片可以快速切入市场,满足当前的迫切需求。团队已经与WIN、三安等代工厂商以及华天、甬矽等封装厂商建立了稳定的合作的关系,根据市场需求可以快速量产。根据预测,5G宏基站数量为4G的约1.5倍,达到500万台,且70%的基站都会建设在中国,基站功放芯片的市场规模超过900亿元,按照5%市场份额估算,本项目研究成果预计可以实现超过40亿元的产值,在一定程度上填补了我国在高端基站功放芯片市场的空缺。推广方案主要通过与主流设备商的合作进行芯片试样、5G样机进行演示在推进到核心基站设备上的批量使用。
射频功放全栈技术能力器件:半导体器件设计、仿真、测试验证的全面能、确保产品的快速迭代MMIC:自主模型开发能力、完整的Load-pull测试平台,定制化模型封测:不同功率等级和频段的射频测试能力,最高可支持2000MHz DPD测试与应用模块:多种功放设计能力,尤其擅长Doherty架构设计、宽带PA设计等核心竞争力;高效灵活的芯片设计能力从需求输入到芯片设计、封装设计、加工制造、可靠性测试、应用方案验证,直到产品输出,以清华大学技术成果为核心、拥有完整的自主芯片设计能力,提供强大、灵活的定制能力。核心竞争力:全国化的虚拟IDM运作模式从设计到晶圆制造再到封装测试,通过与国内产业链上下游头部公司的深度合作,实现高效率的虚拟IDM模式,保证产能/。为实现优质资源的高效、灵活、低成本利用,快速推出领先产品,采用纯fabless运营模式进行:
1、自主知识产权设计领先的GaN Doherty PA电路
2、芯片制造采用完全成熟的商用代工工艺
3、自主完成MCM产品微组装和测试
我司完成芯片的自主研发和微组装和测试,联合国内顶尖生产制造商进行晶圆生产和量产封装,层层把控,全程参与,利用清华大学为首的高校影响力和我们的技术实力与华为、中兴等一线大厂建立合作关系,得到行业认可,进而辐射全国及国际市场。
公司专注于射频功率放大器及其相关产品的开发和生产,未来3~5年主要面向移动通信领域市场进行研发和生产销售,研发投入预计超过1亿元,其中包括宏基站PA芯片和小基站PA芯片完整产品线研制和定型,实现批量出货。开发DPD算法产品的模型,完成DPD与CFR的算法IP,与供应链代工厂和封装厂建立稳定合作,保障充足的产能为批量生产奠定基础工作。预计申请10项以上的核心技术发明专利。实现超过50人的研发团队搭建并组件新技术攻坚团队。
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