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联栅功率管： 联栅功率管是采用联栅架构的静电感应功率管与双极管的复合型功率器件。联栅架构是采用多晶硅发射极和栅上无铝仅在栅区汇流条上面布铝的架构。其特点是元包细微（10µm左右），电流均匀，驱动能力强。联栅的突破：微细元包的电流型功率管。具有高可靠性，在同样供电电压600V下，GATH能输出近1000A，而IGBT在123A左右，GATH是IGBT的近10倍；实验验证：450V 联栅功率管 GAT 用于LED 900V冲击24000次不坏，IGBT 450V 耐压650V。

联栅功率管是功率器件的新的技术分支。①纵向一体化：与国网形成产业链伙伴关系，合作开发新型大功率器件——联栅功率管的及配套驱动。配套开发之后可向产业下游延伸市场资源，形成联栅技术纵向产业链。②横向一体化：形成垂直产业链关系后，横向产业化发展，做市场规模。③多领域产业生态圈发展：联栅功率管是功率器件底层架构，是基础性通用器件。未来可以延续扩展的优势领域：如柔性直流输电、风电、变频器、电力电子变压器、新能源汽车、电机电驱、电动汽车快充等多领域。➃战略意义：我国功率器件90%依赖进口，特别是高端领域。底层架构的突破带来电力电子产业格局的变化。

前期产品GAT基础应用场景为电源、节能灯领域，已销售几亿颗，优势主要是发热低、寿命长、小芯片、小封装、低成本；新能源汽车充电桩（快充）领域功率器件的新技术——GAT，新能源汽车充电桩对功率器件要求：1、高功率、高压、大电流2、高温、高能效3、高频、高功率密度4、成本、性价比

技术创始人：李思敏北京大学半导体物理专业，创办优捷敏半导体公司，系列开发400V-600V联栅晶体管GAT，1200V-1700V 联栅晶闸管GATH；公司创始人：李连宇北京第二外国语学院，管理硕士，在北京优捷敏半导体专门负责技术推广的工作，入选国网项目，与直流所合作开发联栅功率管配套。

GAT给产业链上成本降低：1、芯片（1）工艺简单，5次光刻（2）电流能力强（芯片小）（3）成本率高2、封装 小封装3、系统 优化散热系统4、模组 高功率密度、体积缩小5、整机减少运营成本。以充电桩为例，GAT给产业链带来性价比的提升：功率提高20KW-30KW，优化散热系统，体积减小整机的节约：以180KW充电桩为例减少25%运营成本，减少充电桩体积。

融资需求：1000万，出让10% 股份。分别用于芯片研发、应用实验室、GAT逆变器试产、汽车快充试产、专利布局。