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本项目研发的GaN微显示器是采用纯的第三代半导体材料GaN设计制成芯片级的LED显示阵列（如800 x 600像素的显示器），然后再键合Si基FETIC驱动芯片（800x600点阵）来动态点亮微矩阵显示器，显示动态图像。本产品将固态照明、 平板显示、IC集成电路技术三者结合起来，为LED产业、平板显示产业和IC集成电路产业提供了一个新潜在经济增长点。

新型多孔GaN半导体材料能够生产出高效、明亮的天然红InGaN基Micro LED及微显示器，在降低成本的同时，天然红InGaN基Micro LED显示器最大限度地将可实现的波长提升至640nm或更高，改善了产品的性能。本项目研发的GaN微显示器分辨率高、 尺寸小、亮度高、寿命长、抗干扰能力强、响应速度快，特别是可靠性高以及在苛刻条件下的兼容性和易于使用，特别是白天室外的使用，使得其比现有的LCD、OLED、DLP技术具有更广泛的应用潜力和开发价值。

GaN 是蓝、绿光 LED 不可替代的基础材料，也是制造 Micro-LED 芯片的优选。GaN 基发光二极管因具有高效、可靠、响应速度快、寿命长、功耗低等优点，不仅被广泛应用于全彩显示面板背光、交通信号灯、汽车照 明、固态照明等领域，而且可以制造成由COMS/TFT 控制集成的微尺寸 LED 阵列，用于小型投影仪、微显示器、可见光通信、医学研究等。本项目研发的GaN微显示技术可广泛用于3D显示、打印、显示器、生物芯片、微投影、通信、生物医学、军事等领域，前景广阔。

我校信息学部聚焦电子科学与技术、控制科学与工程、计算机科学与技术、软件工程等研究领域，拥有智能感知与自主控制教育部工程研究中心、数字社区教育部工程研究中心、光电子技术教育部重点实验室、可信计算北京市重点实验室、计算智能与智能系统北京市重点实验室等十余个科研基地，与百度、华为、中国移动、中国联通、中国电信等国际知名企业保持长期产学研合作。

GaN微显示器分辨率高、尺寸小、亮度高、寿命长、抗干扰能力强、响应速度快、高可靠性以及在苛刻条件下的兼容性和易于使用，特别是白天室外的使用，使得其比现有的LCD、OLED、DLP技术具有更广泛的应用潜力和开发价值。当前国家政策鼓励的节能环保产品和集成电路产业，因此会有良好的社会经济效益。投资规模视投资人的规划情况而定，如果是现有LED企业则只需进行产线局部改造就可投产。本项目研发的技术将固态照明、平板显示、IC集成电路技术三者结合起来，为LED产业、平板显示产业和IC集成电路产业提供了一个新潜在经济增长点。

1、技术承接方应当具备较为充足的资本，以使得成果转化相关工作能够顺利开展；2、技术承接方应当具有一定的技术能力，并配备足够的技术人员开展技术转化的系列工作；3、技术承接方应按照合同约定支付技术转让费用；4、技术承接方应当按照合同约定的范围和期限实施专利；5、技术承接方不得许可约定以外的第三人实施该专利。