科创中国

本项目在前期多年和大量的技术和产业化项目积累的基础上，瞄准化合物半导体外延晶圆核心技术，以IQE为榜样，结合我国实际情况，建立具备自主知识产权的外延晶圆生产链，得到高质量、低缺陷密度的第二代、第三代化合物半导体材料，并在此基础之上生长制备VCSEL、pHEMT、InP近红外探测器、InSb中红外探测器等光电/ 微波器件的外延片和相关芯片，最终为我国5G/6G无线通信、光通信、云计算、大数据以及尖端武器雷达提供国产化核心外延晶圆。

化合物半导体工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成，而每一种方法都有一定的局限性。本项目开发了改进生产方法，亮点如下：大大降低了生长化合物半导体材料时不同反应源在输运到衬底反应之前的预反应，提高了反应源利用效率，提高了生长速率，同时由于预反应小，产生的络合物杂质减小，提高了材料质量，降低高温生长的缺陷密度，表面平整。

在化合物半导体芯片产业链中，外延晶圆生长技术是芯片技术的核心与基础。（由于IQE生产的外延晶圆和芯片对中国禁运）本项目瞄准半导体行业先进外延晶圆产品及服务全球领先供应商一IQE,基于前期研究成果和多个产业化项目积累的宝贵经验，打造具备自主知识产权的外延晶圆生产链，生产VCSEL、pHEMT外延晶圆，以 及近中远红外红外热成像集成电路芯片，为我国5G/6G无线通信、光通信、云计算、大数据以及尖端武器提供国产化核心高端外延晶圆与芯片。

我校材料与制造学部拥有工业大数据应用技术国家工程实验室和国家产学研激光技术中心2个国家级科研平台以及12个省部级科研平台，大量科技成果被成功应用于多项国家重点工程或实现产业化。例如"变极性等离子弧穿孔立焊工艺及装备”成功完成天宫一号/二号主结构的焊接制造、多元复合稀 土阴极成功应用于国产大型装置的新型电子源阴极、中高强高耐蚀可焊接5系铝铝合金成功应用于国产大型水面艇体材料以及单晶LaB6空心阴极成功应用于世界首台磁聚焦霍尔推力器等。

本项目实施后，将会改善化合物半导体芯片严重依赖国外的局面，使得我们拥有第三代半导体的关键核心技术。本项目的完成将在北京市率先实现高端化合物半导体芯片的核心外延技术的产业化，无疑将大大促进和引领全国高端化合物半导体芯片和器件的发展,打破本领域西方国家对我们的技术封锁和禁运，有利于我国对抗美国技术禁运，同时通过产学研合作，将培养我国高端化合物半导体芯片的技术和管理人才，促进国际合作，提升北京市在本领域的国际影响力与竞争力。

1、技术承接方应当具备较为充足的资本，以使得成果转化相关工作能够顺利开展；

2、技术承接方应当具有一定的技术能力，并配备足够的技术人员开展技术转化的系列工作；

3、技术承接方应按照合同约定支付技术转让费用；

4、技术承接方应当按照合同约定的范围和期限实施专利；

5、技术承接方不得许可约定以外的第三人实施该专利。