科创中国

目前受中美贸易战的影响，对我国禁运，尤其是在军用领域。本项目在前期多年和大量的技术和产业化项目积累的基础上，瞄准化合物半导体外延晶圆核心技术，以IQE为榜样，结合我国实际情况，建立具备自主知识产权的外延晶圆生产链，得到高质量、低缺陷密度的第二代、第三代化合物半导体材料，并在此基础之上生长制备VCSEL、pHEMT、InP近红外探测器、InSb中红外探测器等光电/微波器件的外延片和相关芯片，最终为我国5G/6G无线通信、光通信、云计算、大数据以及尖端武器雷达提供国产化核心外延晶圆。

在化合物半导体芯片产业链中，外延晶圆生长技术是芯片技术的核心与基础。（由于IQE生产的外延晶圆和芯片对中国禁运）本项目瞄准半导体行业先进外延晶圆产品及服务全球领先供应商一IQE,基于前期硏究成果和多个产业化项目积累的宝贵经验，打造具备自主知识产权的外延晶圆生产链，生产VCSEL、pHEMT外延晶圆，以及近中远红外红外热成像集成电路芯片，为我国5G/6G无线通信、光通信、云计算、大数据以及尖端武器提供国产化核心高端外延晶圆与芯片。

本项目实施后，将会改善化合物半导体芯片严重依赖国外的局面，使得我国拥有第三代半导体的关键核心技术。

我校材料与制造学部拥有工业大数据应用技术国家工程实验室和国家产学研激光技术中心2个国家级科研平台以及12个省部级科研平台，大量科技成果被成功应用于多项国家重点工程或实现产业化。例如"变极性等离子弧穿孔立焊工艺及装备”成功完成天宫一号/二号主结构的焊接制造、多元复合稀 土阴极成功应用于国产大型装置的新型电子源阴极、中高强高耐蚀可焊接5系铝铝合金成功应用于国产大型水面艇体材料以及单晶LaB6空心阴极成功应用于世界首台磁聚焦霍尔推力器等。

本项目的完成将在北京市率先实现高端化合物半导体芯片的核心外延技术的产业化，无疑将大大促进和引领全国高端化合物半导体芯片和器件的发展,打破本领域西方国家对我们的技术封锁和禁运，将培养我国高端化合物半导体芯片的技术和管理人才，促进国际合作，提升我市在本领域的国际影响力与竞争力。

本项目在转化方面无特别要求。