聚光型太阳能系统用锗衬底片

发布时间: 2025-01-06

基本信息

合作方式：股权融资

成果类型：发明专利

行业领域：

新能源及节能技术

成果介绍

以VGF法锗单晶生长技术制备超薄锗片，已经解决了 4英寸超薄锗单晶片的切割、研磨、抛光、清洗、测试和封装等关键技术，建成了 4英寸超薄锗单晶抛光片研制生产线。由于聚光后产生的高温使光电转换效率降低，因此具有较好耐热性的以锗为衬底的III-V族化合物电池，成为了高倍率CPV系统电池的必然选择，也是低成本规模建造太阳能电站的有效途。

成果亮点

主要技术指标如下： (1)生长方法：VGF法； (2)锗片直径：100土0.3mm; (3)导电类型：N型/P型； (4)晶向：〈100> 偏 <111〉9° ±1; (5)电阻率： 0. 01。• cm 〜0.05 Q • cm； (6)电阻率不均匀性< 15; (7)位错密度：P型彡1000个/cm2, N型彡3000个/cm2； (8)晶片厚度：175±15um; (9)TTV： ^ 12um； (10)Bow： ^ 15 U m； (11)机械强度： > 31bfo

团队介绍

中国电子科技集团公司第四十六研究所（以下简称46所），于1958年成立，是国内最早从事半导体材料、光纤材料、微波介质材料等研究开发的单位之一，是国内新型电子功能材料领域方向最多、门类最齐全的专业研究机构。

成果资料