6英寸650V-1200V碳化硅外延片

发布时间: 2025-01-02

基本信息

合作方式：股权融资

成果类型：发明专利

行业领域：

电子信息技术

成果介绍

该产品采用化学气相沉积（CVD）方法，通过优化设备反应腔内的石墨件结构、精准控制外延生长过程中的关键工艺参数，从而提高衬底基面位错的转化效率及外延片浓度和厚度均匀性，降低外延片表面缺陷，实现高质量碳化硅外延片的批量生产，为我国第三代半导体产业的发展提供优质的材料，促进我国第三代半导体行业的快速发展。

成果亮点

（1）表面致命缺陷密度＜0.3cm-2；（2）外延片内掺杂浓度均匀性＜4%；（3）表面大于0.3μm颗粒≤30个；（4）基面位错密度（BPD）＜0.1cm-2；（5）厚度均匀性＜1.5%。

团队介绍

南海研究院是教育部支持、工信部批准同意、海南省教育厅及三亚市政府、招商海南合作共建，作为哈尔滨工程大学的教学科研单位，在学校批准和授权范围内，南海研究院代表学校在海南省承担人才培养、科技创新与成果转化、社会服务以及国际合作交流等任务。南海研究院坚持“国家（海南）所需，学校所强”，立足三亚，辐射南海，瞄准海南自贸港建设需求，充分融合海南和学校优势，重点围绕南海维权装备技术、深远海信息技术、深远海能源和资源开发装备技术、海洋生态保护与海洋旅游装备技术等方向，开展深远海装备技术创新应用，开展深远海领域科技自主科技创新，推动高水平国际合作，培养深远海领域高层次人才，为海洋强国建设、海南自贸港建设和三亚经济社会发展贡献力量。

成果资料