Efect of Si4+/Gd3+ doping on luminescence

发布时间: 2024-12-27

基本信息

合作方式：技术转让

成果类型：著作权

行业领域：

应用化学

成果介绍

本成果采用高温固相法合成了一系列Si4+或Gd3+掺杂的KBaBP2O8:Eu3+荧光粉。对荧光粉的晶体结构和发光性能进行了表征。研究了煅烧温度和不同离子掺杂量对荧光粉晶体结构和光谱性能的影响。激发光谱包括310~500 nm的一系列尖峰，最大激发峰值波长为394 nm，与近紫外LED芯片相匹配。

成果亮点

在394nm的近紫外激发下，最强和次强发射峰分别在594 nm（橙光）和614 nm（红光）处，分别属于Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。Si4+或Gd3+对荧光粉的发射峰位置没有明显影响，但会导致R/O值（橙、红光发射强度比值）的变化。此外，掺杂Si4+或Gd3+都可以提高荧光粉的发光强度。Si4+或Gd3+掺杂可以有效改善KBaBP2O8:Eu3+荧光粉的亮度及光色参数。

团队介绍

第一作者硕博以来长期从事功能性微纳米材料的开发与应用，具体主要从事稀土发光材料、Janus材料的研究。重点在于调控材料的微观形貌以改善其应用性能。以第一作者/通讯作者在Chemical Communications、ACS Applied Nano Materials, Applied Physics A、Journal of Chemical Sciences、硅酸盐学报（EI，2篇）等本领域高水平国内外SCI及EI期刊发表研究型论文6篇，累计影响因子21.173。

成果资料