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本发明属于半导体材料制备工艺领域，具体涉及一种基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法及晶片，该方法制备的金刚石基氧化镓晶片具有氧化镓层/非晶氧化镓层/纳米粘接层/非晶碳层/金刚石衬底和氧化镓层/非晶氧化镓层/非晶碳层/金刚石衬底两种结构，主要制备步骤为：对氧化镓和金刚石表面进行精细抛光；利用快速氩原子束对抛光后的氧化镓和金刚石表面进行活化处理；在经表面活化处理后的氧化镓和金刚石表面分别沉积纳米粘接层，将沉积了纳米粘接层的氧化镓和金刚石互相接触进行间接键合，或不需要沉积纳米粘接层，将经过表面活化处理的氧化镓和金刚石进行直接键合。本发明制备的金刚石基氧化镓晶片，可提高氧化镓器件的散热性能。

Pa的条件下以沉积纳米粘结层对中接触进行间接键合，获得金刚石基GaO晶片；其中，纳米粘接层为Si薄膜，厚度为5～50nm。 优选的，步骤11)中，GaO晶片抛光面和金刚石衬底抛光面的均方根粗糙度均小于1nm。 优选的，步骤13)中，利用快速氩原子束上下分别轰击GaO晶片抛光面和金刚石衬底抛光面60～600s，其中，电流范围为10～80mA，离子加速电压范围为150～360V。 优选的，步骤14)中，键合时的参数设置为：键合压力为10～100MPa，时间为1～5min，键合温度为25～200℃，保温时间为1～5min。 一种由所述的基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法所制备的金刚石基GaO晶片，其特征在于，具体结构由上到下依次为氧化镓层/非晶氧化镓层/纳米粘接层/非晶碳层/金刚石衬底。 一种基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法

咸阳职业技术学院创始于1937年，2004年经陕西省人民政府批准，教育部备案，由原陕西省乾县师范学校、彬县师范学校、仪祉农业学校和咸阳市体育运动学校、卫生学校、技工学校等6所学校合并而成，是咸阳市人民政府直属的唯一一所全日制公办普通高等学校。学院为省级示范高职院校、省级“双高计划”建设单位、全国文明单位、全国绿化模范单位、国家节约型公共机构示范单位和中国特色“双高计划”高水平专业群建设单位。全日制在校学生20000多名。

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