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本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。

技术创新方面，该方法通过精确控制掩膜层的沉积与图形化处理，结合热处理技术，实现了AlN极性的精确反转。这一突破性的技术为极性交替AlN模板的制备提供了可靠途径，确保了模板的均匀性和高质量。 工艺优化上，采用先进的沉积技术如磁控溅射、激光脉冲沉积等，确保了AlN的纯净度和结晶质量。同时，退火处理进一步增强了模板的稳定性，减少了缺陷和位错，提高了整体性能。 应用前景方面，极性交替AlN模板在高性能器件制造中具有重要作用。它不仅是AlGaN基固态紫外光源等高性能器件的关键材料，还推动了半导体产业的进一步发展和创新。 具体成果亮点包括高效制备技术，如实现高速生长的同时保持高质量的AlN模板特性；以及制备出具有低位错密度和原子级光滑表面的AlN模板，这些特性对于提高器件性能和可靠性至关重要。

中国科学院半导体研究所（半导体所）成立于1960年9月6日，是中国半导体科学技术研究发展的核心基地。在国家十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为四大紧急措施之一，彰显了其重要地位。 半导体所拥有众多国家级和院级研究中心、重点实验室，包括国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心、半导体超晶格国家重点实验室等。这些平台为半导体科学技术的研究提供了坚实的基础。 研究所现有职工700余名，其中科技人员占比超过三分之二。高层次人才聚集，包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，以及众多国家级杰出人才计划入选者。同时，半导体所设有多个博士后流动站和一级学科博士培养点，为人才培养提供了良好的条件。 在交流合作方面，半导体所与地方政府、科研机构、大学和企业等建立了广泛的合作关系，共建了近40个联合实验室。此外，还积极开展国际学术交流与合作，取得了显著成绩。 半导体所秉承“两个卓越”和“三个推动”的办所理念，取得了快速发展。现已发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的综合性研究机构。

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