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电子信息技术,微电子技术

一种提高LED倒装芯片光提取效率的方法,包括以下步骤提供具有第一表面和第二表面的一透明衬底;采用Al靶材磁控溅射技术,在不含氧的以氮气为主要溅射气氛条件下,在所述衬底的第二表面沉积一层AlN薄膜,形成AlN模板;将制得的AlN模板放入高温退火设备中进行退火处理,退火温度为1500‑2000℃,退火气氛为氮气或含氮气的混合气氛,退火时间为0.5‑10小时;将退火后的衬底和AlN模板清洗后,放入生长设备中,在所述衬底的第一表面上外延LED全结构并制作至少一个LED芯片单元;在所述LED表面覆盖保护层;将所述衬底第二表面的AlN模板浸入碱性溶液中进行腐蚀,其表面腐蚀形成微纳米结构;除去所述LED表面的保护层;进行芯片划裂,形成分立的LED倒装芯片。

首先，倒装芯片结构消除了金属薄膜和引线焊点对光线的阻碍，使得光线能更直接地从芯片中射出。同时，通过在P型GaN层正面刻蚀凸型结构并形成反射金属欧姆接触层，增大了反射面积，提高了光线的利用率。此外，透明衬底技术的引入，去除了传统衬底对光线的吸收，进一步提升了光提取效率。 这些技术创新带来了显著的性能提升。LED倒装芯片在相同的输入功率下能发出更亮的光，或在相同的亮度下功耗更低，从而实现了更高的能效比。同时，先进的制造工艺和封装技术也提高了LED芯片的稳定性和寿命，使其在长期使用过程中能保持稳定的性能输出。 在应用领域方面，LED倒装芯片的高效光输出性能使其在空气净化、水质消毒、医疗与生物科技以及照明与显示等领域具有广泛的应用前景。特别是在空气净化和水质消毒方面，深紫外光线的杀菌消毒特性使其成为有效的工具。在医疗领域，它可用于制造高效的光疗设备，而在照明和显示领域，则能带来更加舒适和便捷的视觉体验。

中国科学院半导体研究所（半导体所）成立于1960年9月6日，是中国半导体科学技术研究发展的核心基地。在国家十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为四大紧急措施之一，彰显了其重要地位。 半导体所拥有众多国家级和院级研究中心、重点实验室，包括国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心、半导体超晶格国家重点实验室等。这些平台为半导体科学技术的研究提供了坚实的基础。 研究所现有职工700余名，其中科技人员占比超过三分之二。高层次人才聚集，包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，以及众多国家级杰出人才计划入选者。同时，半导体所设有多个博士后流动站和一级学科博士培养点，为人才培养提供了良好的条件。 在交流合作方面，半导体所与地方政府、科研机构、大学和企业等建立了广泛的合作关系，共建了近40个联合实验室。此外，还积极开展国际学术交流与合作，取得了显著成绩。 半导体所秉承“两个卓越”和“三个推动”的办所理念，取得了快速发展。现已发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的综合性研究机构。

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