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车规级氮化镓功率器件可靠性研究

发布时间: 2024-11-06

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 发明专利,实用新型专利
行业领域：
制造业,汽车制造业
成果介绍
与Si材料相比，GaN材料具有更大的禁带宽度，这使得GaN材料制作的电子器件比Si基器件具有更小的泄漏电流，在新能源汽车电源系统，充电转换系统具有广泛的应用潜力。GaNHEMT器件往往在制备后的测试表现出优越的性能，然而经过一段时间的大电压、大电流冲击后，器件均发生电流崩塌现象和远低于理论击穿极限的过早击穿现象，器件工作可靠性差是阻碍GaNHEMT产业化最主要的问题。
成果亮点
1）阐明了GaNHEMT器件界面缺陷产生的机理、获得器件性能退化与缺陷浓度的关系2）获得GaNHEMT器件在高栅偏置和温度应力下的BTI物理退化模型。3）取得基于6寸标准工艺生产的基本符合JEDEC标准与AECQ101标准的GaN功率器件量产技术。
团队介绍
安徽工程大学是一所以工为主的省属多科性高等院校和安徽省重点建设院校，学校办学始于1935年安徽私立内思高级职业学校，历经芜湖电机制造学校、芜湖机械学校、安徽机电学院、安徽工程科技学院等办学阶段，2010年更名为安徽工程大学。学校设有17个二级学院和继续教育学院，60余个本科招生专业。作为省级博士立项建设单位，学校有17个一级学科硕士学位授权点，11个硕士专业学位授权类别。
成果资料
产业化落地方案
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