成果介绍
本发明的提供了一种铝及铝合金超疏水表面的制备方法,具体包括以下步骤:
①混合溶液的配制:将 CuCl2 溶于水和无水乙醇的混合溶剂中得到混合溶
液A,混合溶液A中CuCl2的浓度为0.2-0.25 mo1/L,然后将正十二硫醇逐滴滴
入到混合溶液 A中并充分混合得到混合溶液B,正十二硫醇的加入量为混合溶
液A体积的0.8~1.2%。
②前处理:去除铝或铝合金表面的油污及氧化层。
③一步快速化学沉积与修饰:将前处理的铝或铝合金置于混合溶液 B 中
5-10s 后取出,浸于无水乙醇后取出快速吹干。
成果亮点
①本发明采用了成本低廉,无毒无污染的氯化铜,正十二硫醇,乙醇及水的
湿合溶液。通过一步快速化学沉积与修饰的制备工艺,使铝或铝合金表面微纳粗糙结构的构造及其低表面能的化学修饰同时进行,这样极大地简化了铝基超疏水表面的制备工艺,该制备过程最短只需要5秒;总体而言,这种制备工艺所用时间短,制备效率极高,无毒无污染,条件设备简单,成本低廉,利于规模化生产。
②本发明所述方法可在大小不同、形状各异的铝或铝合金表面制备出具有防
污自洁和减阻等优异性能的超疏水表面,并且通过工艺优化可制备出在与水接触角为 156°、滚动角为 2°时,超疏水铝或铝合金,其防污自洁和减阻性能表现最
好。
团队介绍
半导体探测材料与器件工程技术研究中心包括光电子材料与器件重点实验 室,先进封装设计实验室和芯片设计与应用部。中心以产教融合、协同创新为基 本建设方针,围绕半导体材料与器件全产业链,从上游半导体材料开始,到设计、 制造、封装、测试,再到最后的下游应用环节,并以此实践应用贯穿半导体材料 与器件人才培养全过程。团队成员多学科交叉,其中高级职称10人,双师比82%。
成果资料