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一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法

发布时间: 2024-11-05

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 作价入股
成果类型： 发明专利,实用新型专利,新技术
行业领域：
制造业,金属制品业
成果介绍
本发明提供一种增强太赫兹波的ZnO 纳米阵列的制备方法，本发明方法工 艺简单，制得的ZnO 纳米阵列具有阵列结构整齐，方向可控，结构尺寸可控， 增强太赫兹波的特点。
成果亮点
本发明方法以单层PS小球为模板，采用直流磁控溅射的方式沉积Zn0而 后通过水热方法生长得到阵列结构整齐的 Zn0 纳米阵列，制备方法对设备要求 低，工艺简单。
团队介绍
半导体探测材料与器件工程技术研究中心包括光电子材料与器件重点实验 室，先进封装设计实验室和芯片设计与应用部。中心以产教融合、协同创新为基 本建设方针，围绕半导体材料与器件全产业链，从上游半导体材料开始，到设计、 制造、封装、测试，再到最后的下游应用环节，并以此实践应用贯穿半导体材料 与器件人才培养全过程。团队成员多学科交叉，其中高级职称10人，双师比82%。
成果资料
产业化落地方案
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