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一种基于磁控溅射法的CZTS叠合吸收层及其制备方法

发布时间: 2024-11-05

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 发明专利,实用新型专利
行业领域：
制造业,金属制品业
成果介绍
本技术提供了一种基于磁控溅射法的CZTS叠合吸收层及其制备方法，以太 阳能电池材料按照能隙从大到小、从外向里叠合，选择性的吸收和转换太阳光谱 的不通区域，波长较短的光被最外层宽带隙材料吸收，波长较长的光能透射进去， 使窄带隙材料发挥作用，从而达到提高电池转换效率的目的；在CZTS材料中分 别掺入 Fe、Ge 元素时，随掺入元素含量变化，薄膜的带隙也会发生相应改变。 掺Fe 的薄膜带隙一般小干纯相CZTS薄膜带隙，而掺Ge的薄膜带隙一般大于 纯相CZTS 薄膜带隙。通过调节控制Fe和Ge元素在基体中的掺比，使不同吸 收层间的导带带隙处于一个合适的范围内，从而减小光生电子所受高的势垒阻碍。
成果亮点
本发明以CZTS材料为基体，采用磁控溅射，通过不同元素的替位掺杂实现 对不同带隙变化的控制，并形成叠合吸收层，在提高效率的同时，利用不同层均同是以 CZTS 为基体材料的优势来获得较小的失配以克服异质材料间晶格失配的问题。
团队介绍
半导体探测材料与器件工程技术研究中心包括光电子材料与器件重点实验 室，先进封装设计实验室和芯片设计与应用部。中心以产教融合、协同创新为基 本建设方针，围绕半导体材料与器件全产业链，从上游半导体材料开始，到设计、 制造、封装、测试，再到最后的下游应用环节，并以此实践应用贯穿半导体材料 与器件人才培养全过程。团队成员多学科交叉，其中高级职称10人，双师比82%。
成果资料
产业化落地方案
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