科创中国

电子信息技术,新型电子元器件

高速直调可调谐DBR激光器芯片是一项突破性的光电子技术成果，它巧妙融合了电吸收调制器（EAM）与分布布拉格反射（DBR）技术，实现了高速信号调制与宽范围波长调谐的双重功能。该芯片具备10-50Gb/s的高调制速率，波长调谐范围超过12nm，输出功率超过10mW，展现出卓越的性能稳定性与高速传输能力。 作为5G光通信网络的核心器件，高速直调可调谐DBR激光器芯片不仅满足了光纤传输网对波分复用激光器的迫切需求，还推动了数据中心光互连与宽带接入网的快速发展。其单片集成设计降低了成本，提高了集成度，为光电子芯片技术的发展树立了新的里程碑。 该芯片的研发与应用，不仅提升了我国在高端光子芯片领域的国际竞争力，还满足了市场对高性能、低成本光电子器件的强烈需求。它促进了光通信技术的革新，加速了5G及未来通信技术的部署，为构建更加高效、稳定、智能的光通信网络提供了强有力的技术支持。

首先，该芯片集成了电吸收调制器（EAM）与分布布拉格反射（DBR）技术，实现了高速信号调制与宽范围波长调谐的双重功能，调制速率高达10-50Gb/s，波长调谐范围超过12nm，为5G光通信网络提供了核心技术支持。 其次，该芯片采用单片集成设计，不仅降低了成本，还提高了集成度和性能稳定性，展现了卓越的光电子芯片技术实力。其高输出功率（超过10mW）和稳定的性能，使得该芯片在数据中心光互连、宽带接入网等领域具有广泛的应用前景。 此外，高速直调可调谐DBR激光器芯片的研发成功，标志着我国在高端光子芯片领域取得了重大突破，提升了国际竞争力。该芯片不仅满足了市场对高性能、低成本光电子器件的强烈需求，还推动了光通信技术的革新与升级。

半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区)；一个重点实验室—光电子材料与器件重点实验室；两个院级实验室(中心)—中国科学院半导体材料科学重点实验室和中国科学院固态光电信息技术重点实验室。此外，还设有半导体物理实验室、固态光电信息技术实验室、半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、宽禁带半导体研发中心、人工智能与高速电路实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和元器件检测中心。 半导体所现有职工700余名。其中科技人员约480余名。包括中国科学院院士8名，中国工程院院士1名，高层次引进人才计划30人，国家杰出青年科学基金获得者20人，“百千万人才工程”入选者11人，其中黄昆院士荣获2001年国家最高科学技术奖。设有3个博士后流动站，5个一级学科博士培养点，2个专业学位授权点。

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