集成化高性能射频MEMS谐振器件

发布时间: 2024-11-02

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式：合作开发

成果类型：发明专利

行业领域：

电子信息技术,新型电子元器件

成果介绍

该成果基于微纳加工技术，成功制备出高性能、集成化的硅基谐振器件。相较于传统的石英晶振，MEMS谐振器具有显著优势，如易于系统集成、成本低廉、性能卓越等。其基频覆盖MHz到GHz，Q值高达8000以上，真空键合封装后Q值更可超过10000。基于MEMS谐振器，可开发出高性能振荡器、窄带滤波器等射频器件，这些器件具有低相位噪声、高线性频率温度特性、优秀的稳定度等特点，满足新型射频系统的需求。此外，MEMS谐振器还可应用于无线通讯系统中的高性能通带滤波器，确保相邻信号通道的有效隔离。目前，MEMS谐振器正逐步取代石英晶体振荡器，在消费电子和汽车电子等领域展现出巨大的市场潜力。随着技术的不断进步和市场的不断拓展，MEMS谐振器有望在更多领域发挥重要作用，推动相关产业的快速发展。

成果亮点

1. 技术创新：该成果采用先进的微纳加工技术，成功制备出高性能的硅基MEMS谐振器，实现了谐振器件的微型化、集成化和高性能化，为射频系统提供了全新的时钟和频率控制解决方案。 2. 性能卓越：MEMS谐振器具有基频覆盖MHz到GHz、Q值高达10000以上的优异性能，同时展现出低相位噪声、高线性频率温度特性和优秀的稳定度，这些性能指标均达到国际先进水平。 3. 市场潜力巨大：随着电子行业的快速发展，对高性能、低成本、易于集成的谐振器件需求日益增长。MEMS谐振器作为石英晶振的升级换代产品，具有广阔的市场应用前景，特别是在消费电子和汽车电子等领域。 4. 推动产业升级：该成果的成功研发和应用，将推动射频系统、无线通信等领域的产业升级和技术进步，为相关产业的发展注入新的活力

团队介绍

中国科学院半导体研究所高速电路与神经网络实验室形象认知计算课题组面向前沿科技发展趋势与社会需求，主要开展深度建模、高性能集成电路、类脑神经网络、人工智能等多学科交叉领域的新理论、新方法、新技术的研究，逐步形成“理论-实践-理论”不断升华的创新研究体系。研究团队包括研究员、副研究员、助理研究员、高级工程师、助理工程师、科研助理、博士后以及硕博士研究生50余人。

成果资料

产业化落地方案

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成果综合评价报告

评价单位：“科创中国”紫外半导体光源科技服务团 (中国电子学会) 评价时间：2024-11-08

伊晓燕

中国科学院半导体研究所

副主任

综合评价

该成果在射频MEMS谐振器件领域具有显著的创新性和技术优势，能够满足市场需求，推动产业升级。技术成熟度高，转化周期短，具有广阔的市场前景和巨大的商业价值。建议进一步加大研发投入，优化生产工艺，提高生产效率，降低成本，以满足市场需求。同时，加强市场推广力度，拓展应用领域，提高市场份额。该项目符合当前政策要求，有利于推动科技创新和产业升级，值得支持推广。

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