科创中国

新材料技术,高分子材料

1、行业内公司主要量产产品尺寸集中在 4 英寸（半绝缘型）及 6 英寸（导电型），行业龙头美国科锐已成功研发 8 英寸产品。 2、长晶端：目前行业主流良率在30-40%左右（传统硅基在 90%以上）国内普片在10%以下，有较大提升空间。机加工端： 碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达 9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，该环节行业主流良率在 70-80%左右，国内良率受制于单晶良率及后道加工工艺技术限制，大幅低于国际平均水平，存在较大技术工艺瓶颈，需大幅提升。 3、长晶工艺不成熟，长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长 0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。 4、国内单晶生长高度在40mm以下。5、国内行业生产成本高企。 我司率先突破关键技术，总体技术与工艺水平在国内遥遥领先，核心指标已远超国内同行，具体体现在： 1.单晶良率：平均50%以上，国内同行真是水平均达不到该指标的三分之一。 2.规格：晶棒规格长度不低于80-100毫米，单晶棒及晶片直径可达6英寸。

1、技术领先性：总体技术与工艺水平在国内遥遥领先，核心指标已远超国内同行； 2、2023年上半年投入几台设备试产，预计在半年之内完成试产，试产成功之后，启动第一期100台套碳化硅设备投入建设。年经营销售额预计达到7.7亿元。净利润4亿元以上，一期投产运行顺利，二期计划按1000台套规模建设，计划26年完成上市。

安徽承禹半导体材料科技有限公司