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根据国家十四五规化任务的目标和要求，为了更好的实现项目的最终目标，哈尔滨晶创科技有限公司根据实际产品需求，起草自主立项《碳化硅退火炉系统》项目。 碳化硅退火炉系统的技术原理是通过自主设备和工艺技术，进行多段分区控制，完善碳化硅衬底退火工艺。碳化硅退火炉系统使用电阻加热的方式，退火炉系统的主要技术特征包括加热速度、温度控制、冷却速度、气氛控制、炉腔尺寸、能耗、炉体结构以及安全防护等方面。产品关键技术参数及性能指标为：电源电压：380±19V；输入相位布线：2 相，2 线加接地线；电源频率：50±1Hz；运转（额定）电流：100A；最大功率：50kW，压缩气体：0.6MPa。

主要设计如下创新点如下： （1）退火炉系统包括晶体、晶片、衬底三个退火腔，利用石墨纸、SiC多晶、SiC粉料、搭建退火腔限位结构。 （2）内部上下为保温硬毡，具备固定支撑作用，外部配备保温软毡呈层状缠绕（起到降本增效作用），保障1600℃-2500℃热区均匀性不超过10℃。 （3）步骤包括三个升温阶段和恒温阶段，升温速率与维持时间均不同，工艺反馈融合控制PLC，控温精度达到±1℃ 技术先进性：采用高温、全自动、高能效退火炉系统，将因应力产生缺陷的碳化硅晶体、晶片、衬底进行同时退火工艺，获得高质量、低缺陷的碳化硅晶体、晶片、衬底，在退火过程中，有效提高产品的稳定性，降低位错、微管密度等缺陷，降低生产成本。

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