成果介绍
" IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品.
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成果亮点
可控导通,可控关断,速度快,低损耗。
团队介绍
富士电机为多元化集团公司,所生产产品在业内知名度及产品质量上均属于国际一流产品行列;每年在产品研发及更新换代的投资占总营业额的5%左右,亦是行业内唯一一家具备中频炉设备研发,逆变器件、驱动系统、控制系统、电气部品自主生产设计的企业。
成果资料