成果介绍
本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为 300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件的衬底。
成果亮点
项目整体技术处于国家领先水平建议,加快推广应用
团队介绍
现任北方民族大学副教授,从事科研和教学工作,开展半导体材料、电化学储能技术等领域研究,主持宁夏自然科学基金项目3项、中国工程院战略研究与咨询项目子课题1项、宁夏重点研发项目子课题1项、银川市科技支撑项目子课题1项、银川市校企联合创新专项子课题1项、银川市科技创新项目(软科学)1项、横向项目6项;授权发明专利4项、实用新型专利7项,发表论文三十余篇,获宁夏自然科学优秀学术论文二等奖、三等奖各3项。在半导体材料、电化学储能技术和污水处理领域开展大量研究,取得一系列重要研究成果,发表论文三十余篇,授权专利11项。主持编制《宁夏光伏产业规划(2021年—2030年)》,协助政府制定了《银川市建设“中国新硅都”推进产业转型升级三年行动方案(2023—2025年)》和《银川市建设智能终端材料和半导体材料生产基地三年行动实施方案(2023—2025年)》等产业政策,并完成多项政府咨询课题,形成多份产业研究报告及报送政府研究简报。主笔撰写《宁夏“六新”产业高质量发展标准体系 第1部分:新型材料》,作为主要起草人参与制定团体标准7项。
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