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Polymide光刻胶工艺引入项目

发布时间: 2024-07-23

基本信息

合作方式: 技术服务
成果类型: 发明专利,实用新型专利,新技术
行业领域:
电子信息技术,智能交通技术
成果介绍
超高压产品通过使用聚酰亚胺PI工艺可以提高器件的可靠性,此前,微晶微生产线不具备加工PI能力,因此部分产品需要外协加工PI,涉及多个超高压平台。本项目为Polymide光刻胶工艺引入,其实质为PI工艺开发,微晶微选取SP341 PI胶进行工艺开发,主要包含现有设备自主改造和PI工艺开发实验及产品实验。模组通过对我司在线机台的升级改造使其可以具备加工PI的能力,通过PI工艺开发,一方面可提高我司加工产品的种类,同时可以降低生产成本,提高产品外售附加值。
成果亮点
PI胶相对于常规光刻胶而言,拥有更高的粘度和涂覆厚度,原有机台无法满足其作业需求,因此对在线轨道机PTT12进行加工改造,使其达到能够正常涂覆PI胶的程度,此次设备改造由微晶微光刻部设备课长带领工程师自主完成,为公司节约成本的同时大幅度缩短了施工周期。 ***喷胶Nozzle改造 原机台涂胶为Bellows pump模式,适用于小剂量低粘度光刻胶,对于PI大剂量尤其高粘度光刻胶而言已超出胶泵行程,且容易堵塞损坏胶泵,故更改出胶为氮气加压模式,解决了常规胶泵无法喷胶问题; ***电磁阀、回吸&流量控制阀改造 由于更改为氮气加压出胶模式,原机台管路承压有限,输入端(胶瓶)、控制端(气动阀、回吸阀)、输出端(Nozzle)需提高承压上限,故进行以下改造:胶瓶由玻璃更改为不锈钢高压胶瓶,增强输入端抗压能力;气动阀、回吸阀更改为大口径阀体,使胶量与增大的管路压力匹配;Nozzle口径从原先的1/16口径同步更改为1/4大口径,匹配大胶量; ***下排管路及其他配套管改造 胶量增大后下排端废液量增加,为防止堵塞,更改并缩短下排管路使其减少弯曲;
团队介绍
安静 西安微晶微电子有限公司 光刻部工艺课长/工程师 宁磊 西安微晶微电子有限公司 光刻部经理/工程师 蒋伟 西安微晶微电子有限公司 光刻部设备课长
成果资料