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宇腾（铜川）半导体有限公司具有生产绝缘层硅衬底的技术，将此技术应用于硅基氮化镓外延，可提升硅衬底机械强度，降低硅基氮化镓外延片的翘曲度，并提高氮化镓晶体质量。 　　 绝缘层硅基氮化镓外延技术成果可以降低传统硅基氮化镓器件，在高频率操作下的衬底——外延接面开关损耗，在操作频率40GHz以下，可以取代衬底价格高昂、产能稀缺的碳化硅基氮化镓器件。 　　目前国内氮化镓高频率功率元件一般是使用半绝缘碳化硅衬底。但因半绝缘碳化硅衬底价格高昂，且产能尚未满足氮化镓功率元件市场，同时高速通讯设备市场发展趋势也逐年增长，在供需不平衡的状况下，市场迫切需要硅基氮化镓功率元件的投入。

成果主要内容、适用范围及实施要点 　　主要内容：在绝缘层硅衬底上，成功生长氮化镓外延层，达到商用规格。 　　适用范围：硅衬底的绝缘层加工，以及氮化镓外延缓冲层设计。 　　实施要点： 　　1.　绝缘层硅衬底异质接面应力优化。 　　2.　绝缘层硅基氮化镓晶格缺陷优化。 　　3.　绝缘层硅基氮化镓外延结构优化。 　　4.　功能层电子特性优化。 三、成果的创新性、实用性、可靠性等特点 　　本研究的创新点是将宇腾（铜川）半导体有限公司的厚绝缘层硅片技术，应用于氮化镓外延片制造。在原有厚绝缘层硅片技术的基础上，研发新的绝缘层材料，与适配的氮化镓外延结构，减少衬底-外延接面的载子浓度，提升高频率硅基氮化镓功率器件效率。 　　目前国内氮化镓高频率功率器件一般是使用半绝缘碳化硅衬底。但因半绝缘碳化硅衬底价格高昂(价格约为硅衬底的40倍)，且产能尚未满足氮化镓功率器件市场，同时高速通讯设备市场发展趋势也逐年增长，在供需不平衡的状况下，市场迫切需要硅基氮化镓功率器件的投入。

林立腾 宇腾（铜川）半导体有限公司 总经理 李慎初 宇腾（铜川）半导体有限公司 研发部经理