科创中国

电子信息技术,新型电子元器件

现有技术制备的双面双结太阳能电池没有充分考虑到通过在结构内部增加反射 部分来提高对太阳光的吸收效率。只考虑到通过增加不同的材料形成多结太阳能电池来实 现对不同波长太阳光的吸收。这种方法不利于提高对太阳光的吸收效率，且制备工艺复杂， 成本较高，不适合于大规模产业化生产。 针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供一种多层ITO反射的双面双结太阳 能电池及其制备方法，本发明的太阳能电池可以双面受光，内部设有多层ITO反射镜，可以将入射光在电池内部进行多次反射，有效提高对太阳光的吸收效率。

本发明公开了一种多层ITO反射的双面双结 太阳能电池及其制备方法，包括:n‐Si层;n‐Si层 的上下表面分别掺杂形成p+‐Si层和n+‐Si层，p+‐ Si层上依次形成有第一隧道结和ITO分布式反射 镜;ITO分布式反射镜上制备AlxGa1‐xAs子电池， AlxGa1‐xAs子电池和n+‐Si层上分别制备减反射 层、欧姆接触层和金属电极。本发明的太阳能电 池可以双面受光，内部设有多层ITO反射镜，可以 将入射光在电池内部进行多次反射，有效提高对 太阳光的吸收效率。

北京工业大学先进半导体光电技术研究所 是依托北工大激光工程研究院（现：材料与制造学部）建设，以王智勇教授为牵头，由美、德、日、英等归国科学家组成，致力于化合物半导体科学、技术及应用工程的高水平实验室。 经过三十余年的积累与沉淀，研究所已掌握包括半导体材料外延生长、芯片制程、芯片封装、光束准直及整形、整机集成等半导体器件制造核心技术，在多个前沿领域取得重大技术突破，并实现丰硕的产业化成果。 截至目前，研究所被评为： 国家级：国家产学研激光技术中心 教育部：跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室 北京市：北京市激光应用技术工程研究中心 北京市：激光先进制造北京高等学校工程研究中心