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车规级氮化镓功率器件可靠性研究

发布时间: 2024-05-22

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 发明专利,实用新型专利
行业领域：
制造业,汽车制造业
成果介绍
与Si材料相比，GaN材料具有更大的禁带宽度，这使得GaN材料制作的电子器件比Si基器件具有更小的泄漏电流，在新能源汽车电源系统，充电转换系统具有广泛的应用潜力。GaNHEMT器件往往在制备后的测试表现出优越的性能，然而经过一段时间的大电压、大电流冲击后，器件均发生电流崩塌现象和远低于理论击穿极限的过早击穿现象，器件工作可靠性差是阻碍GaNHEMT产业化最主要的问题。
成果亮点
1）阐明了GaNHEMT器件界面缺陷产生的机理、获得器件性能退化与缺陷浓度的关系2）获得GaNHEMT器件在高栅偏置和温度应力下的BTI物理退化模型。3）取得基于6寸标准工艺生产的基本符合JEDEC标准与AECQ101标准的GaN功率器件量产技术。
团队介绍
林信南，现任安徽工程大学教授、集成电路学院副院长（主持工作），1997年本科毕业于北京大学微电子专业，2007年博士毕业于香港科技大学电机与电子工程专业。曾于1997-1999在北京大学微电子学研究所担任助理工程师，2007至2022年在北京大学深圳研究生院，历任讲师、副教授、科研处副处长。曾担任“先进电子器件与集成应用”深圳市重点实验室主任，深圳市海外高层次（孔雀计划）B类人才；是首批深圳市基础研究杰出青年基金获得者，IEEE 电子器件与固态电路深圳分会创会主席，IEEE 纳米技术广东省分会副主席。是现任中国电工技术学会电气节能专委会副主任委员、电力电子学会常务委员、北京大学校友会理事兼半导体分会秘书长。
成果资料
产业化落地方案
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