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本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件，包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层；在所述硅基层的上表面设置绝缘层；在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元；所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道；在所述CMUT单元上沉积振动薄膜；在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔，对牺牲层进行释放，形成空腔；在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔；利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。

利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁；深腐蚀操作至硅基层，以便沉积底电极；沉积电极及器件之间的连接导线，同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。

我们是专注于多频CMUT（电容式微机械超声换能器）器件的设计与制造方法的先锋团队。通过革新的工艺技术和设计理念，我们开发的多频CMUT器件在医疗成像、工业检测等领域展现出卓越性能。团队汇聚物理学家、材料科学家和工程师，致力于推动超声技术的边界，为精准诊疗和检测提供强有力的技术支撑。