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本发明公开了一种耐高压的平面型半导体装置，包括：有源区层，所述有源区层的四个拐角处设置为弧形结构，所述有源区层的每个拐角处的弧形结构数量设置为三个以上；衬底层，所述衬底层的顶端设置有安装有源区层的安装槽，所述有源区层通过安装槽嵌入衬底层的顶面；其中，每个所述弧形结构的一侧设置有弧形JTE结构。所述弧形结构包括：中部圆弧结构和侧圆弧结构。通过在每个拐角处的设置多个弧形结构，可增加电势障垒的区域；通过降低圆角处的电场强度，提高器件的击穿电压，增强器件的耐压能力。改善器件的可靠性和稳定性；圆角处的电势障垒得以展宽并变得更平坦。使得电场强度能够更均匀地分布在圆角处，不会集中在局部区域。

平面型半导体装置是一种将不同材料和掺杂区域以平面形式组成的半导体器件。它的结构在水平方向上由层叠的材料和区域组成，具有平坦的表面。通过将不同材料、掺杂区域和电极层以平面形式组合，平面型半导体装置可以实现各种功能，如场效应晶体管（FET)、二极管、集成电路等。它们广泛应用于电子设备和集成电路的制造中，以实现逻辑功能、放大电路、存储器等。平面型结构的特点是制造过程简单、面积小、高集成度和较低的功耗，使其成为现代电子产品的重要组成部分。常规N型衬底和P型衬底的平面型半导体装置通常采用方形芯片设计，有源区形状通常为包含圆角的方形或长方形。而圆弧形拐角由于曲率大于平边处，故有源区与衬底形成的PN结的击穿电压通常发生在拐角的顶点处，使得平面型半导体的拐角处易发生击穿，降低了平面型半导体装置耐压性能。

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