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新材料技术,金属材料

深紫外LED是一种全新的健康人造光源,相比于传统紫外光源汞灯，深紫外LED有波长精准可控、绿色环保等许多优点。紫外LED具备广阔的应用前景，可以应用于物体表面、水体和空气的杀菌，以及医疗健康、工业污水废气的处理等。联合国水俣公约要求缔约国自2020年起逐步控制减少乃至最终禁止生产及使用含汞产品，将进一步加速UV-LED产品对汞灯的替代进程，开启紫外LED万亿级市场。

研制出毫瓦级深紫外LED芯片,拥有国际首创NPSS纳米图形衬底技术。 中科潞安开展了深紫外芯片专用设备制造、深紫外芯片制造以及应用产品开发，突破了一系列产业化关键技术。

李晋闽研究员：作为国家半导体照明工程的建议者、推动者之一，率先突破了全链条自主可控的半导体照明关键技术，其代表性的成果有力地支撑、实现了全球最大规模的LED芯片产业化，2019年以第一完成人获国家科技进步一等奖、何梁何利科技创新奖等奖项，为我国半导体照明产业的开拓和发展做出了系统性、创造性的贡献。 闫建昌博士：长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UV LED）领域十余年，先后负责了国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研课题。获2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖（氮化镓基紫外及深紫外LED关键技术）、2022年第五届金砖国家青年创新二等奖、ISA2022全球半导体照明创新百佳奖。 刘乃鑫博士：2019年国家科技进步奖一等奖获得者，高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目荣获2019年国家科技进步奖一等奖。