您所在的位置: 成果库 一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法

一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法

发布时间: 2023-11-23

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式: 作价入股
成果类型: 发明专利,新技术
行业领域:
电子信息技术
成果介绍
本发明涉及一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法,它包括栅极大电流驱动电路和主电路;主电路包括MOS3、被测器件、驱动脉冲发生器VGS、电容C2、电阻RG和R4,以及高压直流电压源V2;栅极大电流驱动电路与MOS3的栅极连接,用于控制MOS3快速开通和关断,并将MOS3的栅极电压钳制在安全值,以及调节主电路dv/dt的大小;在MOS3开通的瞬间,电容C2的一端被强制接地,使得电容C2两端电压被迅速施加到被测器件两端,进而产生大的dv/dt脉冲电压。
成果亮点
本发明可靠性更高,dv/dt脉冲电压大小可调节,间接测量的观测方式对测试设备的精度要求不高,可以大幅降低测试设备成本,可实现性高。
团队介绍
重庆大学(ChongqingUniversity,CQU),简称“重大”,是中华人民共和国教育部直属,由教育部、重庆市、国家国防科技工业局共建的全国重点大学,位列国家“双一流”、“211工程”、“985工程”,入选“珠峰计划”、“强基计划”、“高等学校创新能力提升计划”、“高等学校学科创新引智计划”、“卓越工程师教育培养计划”、“卓越法律人才教育培养计划”、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地,为卓越大学联盟、中波大学联盟、一带一路高校联盟、“长江—伏尔加河”高校联盟、CDIO工程教育联盟、中国高等戏剧教育联盟成员单位、“国优计划”首批试点高校。
成果资料