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生物与新医药技术

一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和强度都得到提高，从而可以提高致冷器件的成品率和致冷效率。

1、一种在磁场中制备半导体致冷取向晶体的方法，包括配料、封装、熔炼等步骤，本发明的特征在于在上述步骤之后将冷却结晶为固溶体的合金锭在磁场中进行区熔处理，方法如下： 将冷却后装有合金锭的玻璃锭管固定在区熔设备行走装置的夹具上，使玻璃管轴线铅直并与区熔炉中心轴线一致，区熔炉温控制在650-700℃，然后在磁场H=1800-2500高斯中，使锭管以3-6厘米/小时的速度由上向下运动，晶锭从园锥尖角开始缓慢通过炉区，在磁场中晶锭由下向上区熔生长为取向晶体。 2、用于权利要求1所述方法的装置，其特征在于该装置由区熔炉体，电磁铁和行走装置三部分组成，其区熔炉体（2）的中间为一园柱形空腔，由环形电阻丝形成一水平的园环形热源，炉体中固定有热电偶（3）并与温控仪连接，区熔炉炉体由三根顶丝（5）支撑，顶丝固定在炉架（4）上，炉架（4）与隔热板（6）固定在电磁铁芯（7）上，行走装置臂（13）由驱动设备带动使之可上下运动，行走装置臂的上端为一个夹具（11），下端是行走装置下托（12）

赵秀平; 李将录; 荣剑英; 赵洪安; 董兴才; 夏德勇