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新材料技术

本发明涉及一种提升压接封装型功率器件失效短路耐受能力及长期可靠性的封装结构，属于半导体封装技术领域。

该封装结构包括集电极金属片、芯片、发射极金属片、金属垫片、子模块框架和高热性能绝缘材料涂层；金属垫片、集电极金属片、芯片、发射极金属片依次叠放并固定于子模块框架中；发射极金属片略小于芯片有源区面积，芯片有源区未与发射极金属片接触的区域形成芯片有源区边缘区域；高性能绝缘材料涂层敷设于芯片有源区边缘区域及芯片终端区表面，但不覆盖芯片栅区。本发明封装结构可以显著提升压接封装型功率器件失效短路耐受能力，有效降低终端区气隙电场强度，并一定程度降低器件结壳热阻。

重庆大学（ChongqingUniversity，CQU），简称“重大”，是中华人民共和国教育部直属，由教育部、重庆市、国家国防科技工业局共建的全国重点大学，位列国家“双一流”、“211工程”、“985工程”，入选“珠峰计划”、“强基计划”、“高等学校创新能力提升计划”、“高等学校学科创新引智计划”、“卓越工程师教育培养计划”、“卓越法律人才教育培养计划”、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为卓越大学联盟、中波大学联盟、一带一路高校联盟、“长江—伏尔加河”高校联盟、CDIO工程教育联盟、中国高等戏剧教育联盟成员单位、“国优计划”首批试点高校。