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本发明公开一种用于GaN MIS‑HEMT功率器件的短路保护方法及保护电路，所述保护方法包括通过差分采样电路获取栅极驱动电阻RGon的电压，以此来还原驱动回路的栅极泄漏电流；然后通过带有复位开关S1的积分电路对栅极泄漏电流积分以获取栅极泄漏电荷；再通过比较器获取短路故障信号；最后硬关断电路将短路故障信号通过SR锁存器锁存，锁存器的输出信号Q直接连接LED灯以作短路故障警示信号，锁存器的另一输出信号‑Q经数字隔离器把使能信号反馈给GaN MIS‑HEMT的隔离型驱动，控制驱动芯片使能工作。

所述保护电路包括栅极泄漏电荷检测电路和硬关断电路。本发明解决现有技术存在受PCB布局和器件封装结构寄生参数的影响，短路保护电路设计复杂、成本高等问题。

重庆大学（ChongqingUniversity，CQU），简称“重大”，是中华人民共和国教育部直属，由教育部、重庆市、国家国防科技工业局共建的全国重点大学，位列国家“双一流”、“211工程”、“985工程”，入选“珠峰计划”、“强基计划”、“高等学校创新能力提升计划”、“高等学校学科创新引智计划”、“卓越工程师教育培养计划”、“卓越法律人才教育培养计划”、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为卓越大学联盟、中波大学联盟、一带一路高校联盟、“长江—伏尔加河”高校联盟、CDIO工程教育联盟、中国高等戏剧教育联盟成员单位、“国优计划”首批试点高校。