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对于样品上施加压力通常有三种可能的技术：压电陶瓷施加应力技术、金刚石对顶砧技术和静液压技术。利用压电陶瓷施加应力技术施加的单轴应力方向平行于样品表面，在通常的GaAs/AlGaAs二维空穴气样品中，[001]方向是垂直于样品表面的方向，所以利用压电陶瓷施加应力技术很难达到理论预言的效果。金刚石对顶砧技术很难应用于10mK量级的温度，而且很难应用于mm级别厚度cm级别大小的半导体异质结样品。相比金刚石对顶砧技术，静液压技术则更容易达到极低的温度，并且适用于大体积的样品。虽然静液压技术不能施加垂直于样品表面的单轴应力，但由于其施加压力是均匀压力，所以仍然能够产生垂直于样品表面的压缩应力。在分数量子霍尔效应研究领域，常见的变化参量有载流子浓度、磁场、温度以及磁场角度等。本项目实现了电子温度小于50 mK、低温条件下最大压强为*** GPa的液压多引线电输运测量环境。

利用该技术，我们在实验上观测到在各向同性的静液压诱导下，朗道能级填充系数3/2附近的分数量子霍尔态出现了自旋相变。通过对相变规律的分析，我们发现两个由于自旋轨道耦合分裂的朗道能级在高压作用下发生简并，所以空穴具有不同自旋量子数的子能带在静液压作用下发生了相应的微弱变化。该工作利用多体量子态相变研究静液压作用下材料物性发生的10微eV量级的微小变化，高于其他已有的实验探测手段和计算方法。

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