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第三代半导体碳化硅SiC外延设备

发布时间: 2023-11-21

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
电子信息技术,微电子技术
成果介绍
第三代半导体碳化硅外延设备（6吋/8吋，支持单双腔灵活配置的多片量产型碳化硅外延设备系列）。 该技术是通过超高温CVD方式精确控制各种气体流量进而精确控制外延膜的厚度、组分和导电类型，在碳化硅衬底晶片表面制备大面积、高均匀性的外延膜，为第三代半导体功率芯片器件制造提供核心基础材料，是碳化硅功率器件国产化进程中的关键设备。
成果亮点
技术优势：团队来源于国际国内一流的半导体公司，拥有高端半导体设备、CVD外延设备、MOCVD设备研发和产业化成功多年经验，聚焦于反应腔的流场和热场控制、高速旋转等核心技术，在用于生长SiC单晶薄膜材料方面，具有设备产能高、长晶厚度均匀、缺陷密度低、批间重复性好、可维护性佳、生产成本低等优点。
团队介绍
宁波市智能制造产业研究院是受浙江省省委省政府委托，由宁波市政府与智能制造领域专家团队共同筹建的具有集团性质的机器人及智能制造企业集群。宁研院总投资3亿元，致力于搭建技术研究与成果产业化的桥梁，以打造“浙江制造”为核心目标，积极创造机器人名牌产品，业务覆盖智能制造核心部件、机器人本体、产业应用等多个领域，通过3-5年时间成为宁波市智能经济发展的核心支撑平台。
成果资料